IXTU5N50P 技术参数详情
更新时间：2026-03-04 16:18:15
晨欣小编
- 制造商产品型号：IXTU5N50P
- 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半导体收购）
- 描述：MOSFET N-CH 500V 4.8A TO252
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：PolarHV?
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：500V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：4.8A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.4 欧姆 @ 2.4A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5.5V @ 50μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：12.6nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±30V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：620pF @ 25V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：89W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：TO-252，（D-Pak）
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