送货至:

 

 

PH955L,115 技术参数详情

 

更新时间:2026-02-25 11:06:08

晨欣小编

  • NXP恩智浦完整型号:PH955L,115
  • 制造商:NXP(恩智浦半导体)
  • 描述:MOSFET N-CH 55V 62.5A LFPAK
  • 系列:TrenchMOS?
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss):55V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):62.5A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):8.3 毫欧 @ 25A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):42nC @ 5V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2836pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:62.5W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:SC-100,SOT-669,4-LFPAK
  • 供应商器件封装:LFPAK56, Power-SO8

 

上一篇: PESD5V0V4UF,115 技术参数详情
下一篇: S912XEG128BVAAR 技术参数详情

热点资讯 - IC芯片

 

芯片价格波动的核心因素
芯片价格波动的核心因素
2026-03-03 | 1061 阅读
RTL8211F-CG手册
RTL8211F-CG手册
2026-02-28 | 1167 阅读
ICL7660AIBAZA-T 电源芯片
ICL7660AIBAZA-T 电源芯片
2026-02-27 | 1135 阅读
ISO1050DUBR物料参数
ISO1050DUBR物料参数
2026-02-27 | 1286 阅读
AT89C51ED2-RLTUM参数信息
AT89C51ED2-RLTUM参数信息
2026-02-26 | 1242 阅读
CDRH125-100MC参数信息
CDRH125-100MC参数信息
2026-02-25 | 1266 阅读
stm32f103c8t6数据手册及性能
stm32f103c8t6数据手册及性能
2026-02-25 | 1282 阅读
工业电力电子:IGBT 模块的选型与驱动电路抗干扰设计
收起 展开
QQ客服
我的专属客服
工作时间

周一至周六:09:00-12:00

13:30-18:30

投诉电话:0755-82566015

微信客服

扫一扫,加我微信

0 优惠券 0 购物车 BOM配单 我的询价 TOP