送货至:

 

 

CPH3456-TL-W 技术参数详情

 

更新时间:2026-02-25 11:06:08

晨欣小编

  • 制造商产品型号:CPH3456-TL-W
  • 制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
  • 描述:MOSFET N-CH 20V 3.5A 3CPH
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:-
  • 零件状态:有源
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):20V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):3.5A(Ta)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):1.8V,4.5V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):71 毫欧 @ 1.5A,4.5V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):1.3V @ 1mA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):2.8nC @ 4.5V
  • Vgs(最大值):±12V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):260pF @ 10V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):1W(Ta)
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:3-CPH

 

上一篇: CAT5116ZI-T3 技术参数详情
下一篇: DM74S161N 技术参数详情

热点资讯 - IC芯片

 

芯片价格波动的核心因素
芯片价格波动的核心因素
2026-03-03 | 1061 阅读
RTL8211F-CG手册
RTL8211F-CG手册
2026-02-28 | 1167 阅读
ICL7660AIBAZA-T 电源芯片
ICL7660AIBAZA-T 电源芯片
2026-02-27 | 1135 阅读
ISO1050DUBR物料参数
ISO1050DUBR物料参数
2026-02-27 | 1286 阅读
AT89C51ED2-RLTUM参数信息
AT89C51ED2-RLTUM参数信息
2026-02-26 | 1242 阅读
CDRH125-100MC参数信息
CDRH125-100MC参数信息
2026-02-25 | 1266 阅读
stm32f103c8t6数据手册及性能
stm32f103c8t6数据手册及性能
2026-02-25 | 1282 阅读
工业电力电子:IGBT 模块的选型与驱动电路抗干扰设计
收起 展开
QQ客服
我的专属客服
工作时间

周一至周六:09:00-12:00

13:30-18:30

投诉电话:0755-82566015

微信客服

扫一扫,加我微信

0 优惠券 0 购物车 BOM配单 我的询价 TOP