UPV1A181MGD 时间：:10 阅读：33

UPV1A181MGD是一款由Rohm Semiconductor（罗姆半导体）生产的P沟道功率MOSFET，采用紧凑型封装设计，适用于高效率电源管理应用。该器件主要面向便携式电子设备、电池供电系统以及需要低导通电阻和低功耗特性的应用场景。UPV1A181MGD凭借其优异的电气性能和小型化封装，在空间受限的设计中表现出色。该MOSFET专为在低电压条件下实现高效开关操作而优化，适合用于负载开关、电源路径控制、DC-DC转换器以及各类电源管理系统中。器件采用了先进的沟槽式MOSFET工艺，确保了低栅极电荷和快速开关响应能力，同时具备良好的热稳定性和可靠性。此外，UPV1A181MGD符合RoHS环保标准，并通过了AEC-Q101车规级认证，使其不仅适用于消费类电子产品，也可用于汽车电子等对可靠性要求较高的领域。 参数

型号：UPV1A181MGD
　　制造商：Rohm Semiconductor
　　器件类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：-20V
　　最大栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：-5.4A（@ Vgs = -4.5V）
　　脉冲漏极电流（Idm）：-13A
　　导通电阻Rds(on)：42mΩ（@ Vgs = -4.5V）
　　导通电阻Rds(on)：52mΩ（@ Vgs = -2.5V）
　　阈值电压（Vth）：-0.6V ~ -1.0V
　　输入电容（Ciss）：470pF（@ Vds=10V）
　　输出电容（Coss）：220pF（@ Vds=10V）
　　反向恢复时间（trr）：18ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：UMT5（SOT-563/US6）
　　安装类型：表面贴装（SMT）
　　引脚数：6
　　功耗（Pd）：500mW 特性

UPV1A181MGD的P沟道结构使其在负电压驱动下能够实现高效的电源控制功能，特别适用于高边开关配置。其低导通电阻特性显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统效率，尤其在电池供电设备中可有效延长续航时间。该器件在Vgs为-4.5V时的Rds(on)仅为42mΩ，在更常见的-2.5V驱动条件下仍保持52mΩ的低阻值，表明其在低电压逻辑信号直接驱动下依然具备良好性能，无需额外的电平转换电路，简化了设计复杂度。
　　该MOSFET具备较低的输入电容（Ciss）和输出电容（Coss），有助于减少开关过程中的能量损耗，提升高频开关应用中的响应速度。同时，较短的反向恢复时间（trr = 18ns）意味着体二极管具有较快的恢复特性，减少了在同步整流或反向电流路径中的损耗与噪声干扰，提升了系统的稳定性与EMI表现。
　　UPV1A181MGD采用UMT5（SOT-563）超小型封装，尺寸仅为1.6mm x 1.6mm x 0.55mm，非常适合高密度PCB布局，广泛应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备及便携式医疗仪器等对空间极为敏感的产品中。该封装还具备良好的热传导性能，结合合理的PCB布局设计可有效散热，保障器件长期稳定运行。
　　器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，适应严苛的环境条件，增强了其在工业与汽车电子中的适用性。通过AEC-Q101认证进一步证明了其在振动、温度循环和长期可靠性方面的高标准，可用于车载信息娱乐系统、传感器电源管理模块等场景。此外，该器件具备良好的抗静电能力（HBM ESD耐压达±2000V），提升了生产过程中的鲁棒性与良率。 应用

UPV1A181MGD广泛应用于多种电源管理场合，包括但不限于便携式电子设备中的电池电源开关、负载切换电路、热插拔控制器以及DC-DC降压变换器的同步整流部分。由于其P沟道特性，常被用作高边开关来控制主电源的通断，在系统待机或关机状态下切断外设供电以降低静态功耗，从而实现节能目标。
　　在移动设备如智能手机和平板电脑中，该器件可用于摄像头模组、显示屏背光、无线通信模块（Wi-Fi/蓝牙）等子系统的独立供电控制，实现精细化电源管理。其快速响应能力和低控制门槛使其能够与微控制器的GPIO引脚直接连接，无需额外驱动芯片，节省成本与空间。
　　在汽车电子领域，UPV1A181MGD可用于车身控制模块、电动门窗驱动、LED照明控制单元等低压电源控制系统。其车规级认证确保了在高温、高湿、振动等恶劣环境下仍能稳定工作。
　　此外，该器件也适用于工业传感器、IoT终端节点、USB供电路径管理、充电器输出开关等应用。其小型封装和高性能参数组合使其成为现代高效、紧凑型电源设计的理想选择之一。 替代型号

DMG2302UK-7
　　SI2301ADS-T1-E3
　　FDC6322CT