UPS1H151MPD 时间：:48 阅读：30

UPS1H151MPD是一款由ROHM（罗姆）半导体公司生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的Trench结构制造工艺，专为高效率和高性能的电源管理应用而设计。该器件封装在SOP-8小型化表面贴装封装中，具有良好的热性能和电气性能，适用于多种便携式设备和工业控制场合。其额定电压为20V，连续漏极电流可达9.6A，具备较低的导通电阻，有助于降低功耗并提升系统整体能效。此外，该MOSFET还具备出色的开关特性，适合用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池供电设备中的功率控制电路。由于采用了环保材料制造，并符合RoHS指令要求，因此适用于对环境友好型电子产品的需求场景。该产品在设计上优化了栅极电荷与导通电阻之间的平衡，从而在高频开关应用中表现出优异的动态响应能力。同时，其内置的体二极管也提供了反向电流保护功能，在感性负载切换过程中起到关键作用。总体而言，UPS1H151MPD是一款面向中低功率领域的高性能、高可靠性的功率MOSFET解决方案。 参数

型号：UPS1H151MPD
　　制造商：ROHM
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：20V
　　最大漏极电流(ID)：9.6A
　　导通电阻(RDS(on))：15mΩ @ VGS=4.5V, ID=4.8A
　　栅极阈值电压(VGS(th))：1.0V ~ 1.8V
　　最大功耗(PD)：2.3W
　　工作结温范围(Tj)：-55℃ ~ +150℃
　　输入电容(Ciss)：600pF @ VDS=10V
　　开关时间(上升/下降)：约15ns / 8ns
　　封装形式：SOP-8 特性

UPS1H151MPD具备多项关键技术特性，使其在同类N沟道MOSFET产品中表现出色。首先，其采用ROHM自主研发的Trench结构技术，显著降低了导通电阻RDS(on)，实测值在VGS=4.5V条件下仅为15mΩ，这不仅减少了导通状态下的功率损耗，还提升了系统的能量转换效率。这对于电池供电设备尤为重要，能够有效延长续航时间。
　　其次，该器件具有较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qsw），这意味着在开关过程中所需的驱动能量更少，从而支持更高的开关频率运行，适用于现代高频DC-DC变换器拓扑如同步整流降压转换器。此外，低Qg也有助于减少驱动IC的负担，简化外围驱动电路设计。
　　第三，UPS1H151MPD的热阻特性良好，SOP-8封装具备一定的散热能力，能够在有限空间内实现稳定工作。其最大功耗为2.3W，在适当PCB布局下可满足多数中等功率应用场景的需求。
　　第四，该MOSFET具备优良的雪崩耐受能力和抗瞬态过压能力，增强了在异常工况下的可靠性。内置的体二极管具有较快的反向恢复速度，可在感性负载断开时提供有效的续流路径，防止电压尖峰损坏其他元件。
　　最后，该器件的工作结温范围宽达-55℃至+150℃，确保在极端环境温度下仍能保持稳定性能，适用于工业级和汽车电子等严苛应用环境。综合来看，这些特性使UPS1H151MPD成为高效、紧凑且可靠的功率开关选择。 应用

UPS1H151MPD广泛应用于多种需要高效功率控制的电子系统中。其主要应用领域包括便携式消费类电子产品，如智能手机、平板电脑、移动电源和可穿戴设备，其中常被用作负载开关或电池供电路径的通断控制，利用其低导通电阻和小封装优势实现节能与小型化设计。
　　在电源管理系统中，该器件可用于同步整流型DC-DC降压转换器的下管或上管，特别是在12V或5V转3.3V、1.8V等低压输出的应用中表现优异，有助于提高转换效率并减少发热。
　　此外，它也被用于电机驱动电路，例如微型直流电机或步进电机的H桥驱动模块中，作为开关元件实现正反转和调速功能，得益于其快速开关特性和较高电流承载能力。
　　在工业控制领域，UPS1H151MPD可用于继电器驱动、电磁阀控制、LED恒流驱动电源以及各类电源分配单元（PDU）中的功率开关部分。
　　由于其符合RoHS标准且不含卤素，因此也适用于绿色环保电子产品和出口型设备的设计需求。总之，该器件凭借其高性能、小尺寸和高可靠性，已成为众多中低功率开关电源和功率管理方案中的理想选择。 替代型号

SiSS15DN-T1-GE3,SZ20N03EL-G,RSA015N03