一、高频电路的核心矛盾：速度 vs 寄生参数

在低频下可以忽略的东西，在高频里都会变成“主角”：

• 结电容（Cj）

• 存储电荷（Qs）

• 寄生电感（Lp）

• 载流子迁移时间

• 封装结构

一句话总结：

高频性能 ≈ 器件内部 + 封装寄生参数的综合结果

二、二极管在高频电路中的关键影响因素

1️⃣ 反向恢复时间 trr（最关键）

原因

• PN 结中存在少数载流子存储效应

• 由正向导通 → 反向截止时，需要“清空电荷”

高频影响

• trr 越大 → 开关损耗、尖峰、电磁干扰越严重

• 在射频 / 开关电源中会直接限制最高工作频率

工程结论

2️⃣ 结电容 Cj（高频信号的“隐形短路”）

特点

• Cj 与反向电压相关

• 高频下等效为 交流旁路通道

影响

• 降低信号幅度

• 改变阻抗匹配

• 限制带宽

高频设计要点

• 射频检波、混频 → 选低 Cj 器件

• PIN 二极管在射频开关中利用的是可控结电容

3️⃣ 正向导通电阻 Rf

• 高频下 Rf 影响：

• 插入损耗

• 功率效率

• 肖特基二极管在这里优势明显（无载流子存储）

4️⃣ 封装寄生参数（极易被忽略）

高频二极管，封装选型和芯片本身同等重要

三、三极管（BJT）在高频电路中的关键影响因素

1️⃣ 特征频率 fT（核心指标）

定义

• 电流增益 β = 1 时的频率

工程意义

• 实际放大频率 ≤ fT / 5 ~ 10

影响因素

• 基区宽度

• 载流子迁移时间

• 内部电容

高频设计经验

• 射频放大器 → fT 至少比工作频率高一个数量级

2️⃣ 基极-发射极 / 基极-集电极结电容（Cbe、Cbc）

高频杀手之一

• Cbc 通过米勒效应被放大

• 有效电容 ≈ Cbc × (1 + Av)

结果

• 带宽骤降

• 高频增益塌陷

• 相位失真

工程对策

• 共基极结构

• 射极跟随器

• 选用低 Cbc 的射频晶体管

3️⃣ 存储时间 ts（饱和区的“灾难”）

• BJT 进入饱和区 → 存储电荷大量增加

• 高频开关中：

• 延迟

• 交叉导通

• 功耗上升

工程规则

高频电路中尽量避免三极管深度饱和

4️⃣ β（电流放大倍数）在高频下并不重要

常见误区 ⚠️

“β 越大越好”

实际情况

• β 随频率快速下降

• 高频设计更关心：

• fT

• gm

• 噪声系数

• Cbc / Cbe

5️⃣ 封装与布局的影响甚至超过参数表

• 引脚越短 → 寄生电感越小

• 地回路设计直接决定高频性能

四、二极管 vs 三极管：高频参数关注点对比

五、工程选型的“高频三原则”