优点 SBD具有开关频率高和正向压降低等优点，但其反向击穿电压比较低，大多不高于60V，仅约100V，以致于限制了其应用范围。像在开关电源（SMPS）和功率因数校正（PFC）电路中功率开关器件的续流二极管、变压器次级用100V以上的高频整流二极管、RCD缓冲器电路中用600V～1.2kV的高速二极管以及PFC升压用600V二极管等，只有使用快速恢复外延二极管（FRED）和超快速恢复二极管（UFRD）。目前UFRD的反向恢复时间Trr也在20ns以上，根本不能满足像空间站等领域用1MHz～3MHz的SMPS需要。即使是硬开关为100kHz的SMPS，由于UFRD的导通损耗和开关损耗均较大，壳温很高，需用较大的散热器，从而使SMPS体积和重量增加，不符合小型化和轻薄化的发展趋势。因此，发展100V以上的高压SBD，一直是人们研究的课题和关注的热点。近几年，SBD已取得了突破性的进展，150V和200V的高压SBD已经上市，使用新型材料制作的超过1kV的SBD也研制成功，从而为其应用注入了新的生机与活力。

封装 肖特基二极管的封装采用TO-220.TO-3P封装形式和表面封装形式。 在TO-220封装形式中，据其内部结构又可分为单管和对管两种，对管又可分为共阴对管、共阳对管和串联对管三种形式。如图所示。 图:肖特基二极管的引出脚方式 (a)共阳;(b)共阴;(c)、(d)串联 图所示(a)为共阳对管，即两管的正极相连。(b)为共阴对管，即两管的负极相连。(c)、(d)为串联对管。 肖特基二极管的外形如图所示。 图:肖特基二极管外形

型号 常用的 有D80-004型、MBRl545型 、MBR2535型、B82一004型等，主要参数如表3-9所示。 常用的表面封装肖特基二极管有RB型等，主要参数如表所示。 表1：常用肖特基二极管主要参数 表2：表面封装共阴对管主要参数

应用 SBD的结构及特点使其适合于在低压、大电流输出场合用作高频整流，在非常高的频率下（如X波段、C波段、S波段和Ku波段）用于检波和混频，在高速逻辑电路中用作箝位。在IC中也常使用SBD，像SBDTTL集成电路早已成为TTL电路的主流，在高速计算机中被广泛采用。 除了普通PN结二极管的特性参数之外，用于检波和混频的SBD电气参数还包括中频阻抗（指SBD施加额定本振功率时对指定中频所呈现的阻抗，一般在200Ω～600Ω之间）、电压驻波比（一般≤2）和噪声系数等。