IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种高压、高功率、高速度的半导体开关器件，它在控制电路上具有FET的优点，在输出端上则具有BJT的特点，是目前功率开关元件中最主流的一种。IGBT广泛应用于变频器、电力变换器、UPS等各种电力电子系统中。

IGBT开启过程是指IGBT从关态到导通态转化的过程。由于IGBT具有高速开关和瞬时短路的复杂特性，因此其开启过程也被分析为以下4个阶段：

1. 没有驱动信号的条件下，IGBT处于关态；

2. 当驱动信号被应用于门极时，由于门极和源极间的电容，有限的电流流过门极，对IGBT进行初步激发；

3. 当Vce逐渐减少到零点，并且初步激发后的载流子开始形成条件导体时，发生均衡晶体管行为，即IGBT开始进入放大状态；

4. 当$V_{ce}$降低到饱和电压时，晶体管开始处于饱和状态，这时载流子激增，并且$\frac{dIc}{dt}$增加，进而达到最大输出电流的状态，IGBT开始稳定工作。

在IGBT的开启过程中，需要注意的是，因为IGBT具有较大的阻抗和容性，因此其开启过程也是一个能量转化的过程，需要消耗一定的时间和能量。因此，为了实现快速开启和工作稳定，需要采用合适的驱动电路和控制算法。

总之，IGBT开启是一个涉及电容、电流和电势的复杂过程，必须掌握其开启机理，才能更好地应用于各种电力电子系统中。