Soitec，全球领先的半导体材料解决方案供应商，近日发布了首款200mm SmartSiC优化衬底。此次发布的新型优化衬底将有助于Soitec扩展碳化硅（SiC）产品组合，进一步推动能源转型、增加可再生能源使用比重等领域的发展。

据介绍，Soitec的优化衬底可大幅提高碳化硅材料的质量和生产效率。这一系列优化措施使得SmartSiC?材料的晶体质量比传统的SiC衬底提高了近30％，提高了器件电性能指标，并为SiC市场的快速发展提供了新的技术支持。

Soitec此次发布的200mm SmartSiC?优化衬底是她旗下Power 2.0生态计划的成果之一。Power 2.0生态计划以碳化硅为主要技术，包括优化数控加工技术【（包括应用SOI技术等等】优化衬底和器件技术，以及协助客户建立整个价值链的策略伙伴关系。2022年，Power 2.0生态计划将逐步扩大到6英寸碳化硅基底，并推出包括较大的破碎硅（BrokenWafers）和晶片碎片（Dies）回收计划在内的系列产品。

近年来，碳化硅作为一种新型的半导体材料，被广泛应用于电力电子、新能源、汽车电子等领域。碳化硅器件具有功率密度高、开关速度快、耐热耐压等优点，此次Soitec的200mm SmartSiC?优化衬底的发布可以说是推动碳化硅材料应用领域扩大的又一步，对于实现能源转型等目标将发挥重要作用。

正如Soitec中国区总经理陈然所言：“Soitec完全致力于解决能源领域以及5G、人工智能等智能系统领域面临的诸多挑战，我们的技术创新让Soitec成为了碳化硅行业的领先者之一。”Soitec未来将持续创新，为碳化硅领域的用户提供更好的产品和技术服务，为推动能源转型和智慧产业发展做出更大的贡献。