IGBT即绝缘栅双极型晶体管，是一种高性能、高速、高电压、高电流的开关器件。IGBT开关过程是指，IGBT在工作时开关状态的变化过程。在这个过程中，IGBT从完全截止状态接通到完全导通，然后再从完全导通状态切换到完全截止状态。

IGBT的开关动作可以分为三个过程：上升过程、下降过程和阻抗过程。

上升过程是指，当IGBT处于截止状态时，控制电压加到栅极上时，栅极会向N型内部注入大量的移动电荷，导致P型区域中的电子浓度增加，同时使与P型区接触的N型区域的电子浓度降低，从而使P型区的电子浓度超过了N型区的电子浓度。这导致P型区更容易导电，从而使电流流过P型区。接下来，栅极控制电压继续增加，使电流在P型区和N型区之间形成了正向电压。当正向电压到达一个临界值时，将发生陡峭的电流跃迁，从而使IGBT从截止状态切换到导通状态。

下降过程是指，当IGBT处于导通状态时，控制电压减小时，导体上的电荷向栅极移动，从而减少了栅极的电流响应。随着控制电压的减小，正向电压逐渐降低，直到它低于临界值，电流跃迁就开始减速，IGBT从导通状态切换到截止状态。

阻抗过程是指，在IGBT从导通状态切换到截止状态的过程中，当正向电压降低到低于临界值时，电流跃迁减缓，形成了一个阻抗区​​域。在这个区域中，IGBT的电流和电压都很低，因此受到的压降也很小。在这个过程中，IGBT的电流和电压都随时间而变化，直到IGBT完全处于截止状态。

IGBT开关过程是IGBT工作的关键过程，它直接影响着IGBT的输出性能。了解IGBT开关过程可以更好地了解IGBT器件的工作原理，为IGBT的应用提供帮助。