2022-11-07 15:13:11
定义：是指由于输入晶体管的电压、电流产生的功耗在元件发热时，结温Tj为绝对最大额定值限定的温度(Tj＝150°C)时的功率。
計算方法
这里，PC、Ta、△Tx、Px可以由各自测定时的设定值或测定结果直接得出，但是只有Tj不能直接得出。因此，如下列出使用VBE的测试方法。
VBE测定法硅晶体管的情况下基极-发射极间电压：VBE根据温度变化。
由此，通过测定VBE，可以推测结温。
通过图1的测定电路，对晶体管输入封装功率：PC(max)。
(假设1W晶体管的情况下，输入条件为VCB=10V IE=100mA)
测定VBE的初始值VBE1
对晶体管输入功率，使PN结热饱和
VBE的后续值：测定VBE2
从这个结果得出△VBE=VBE2-VBE1。
这里，硅晶体管根据温度具有一定的温度系数。约为ー2.2mV/ºC。
（达林顿晶体管为ー4.4mV/ºC）
因此，根据由输入功率得出△VBE，可以由以下算式得出上升的结温。