一、基本结构与工作原理对比
1.1 普通二极管（PN结二极管）
普通二极管由P型半导体与N型半导体构成PN结。当PN结加正向电压时，电流容易通过；反向时几乎不导通，起到整流作用。
开启电压：硅二极管约为0.7V，锗二极管约为0.3V；
结构优势：制程成熟，价格低廉；
缺点：反向恢复时间较长，不适合高频场景。
1.2 肖特基二极管
肖特基二极管不是PN结，而是由金属与N型半导体形成金属-半导体结（Schottky Barrier）。因无少数载流子参与导通，导通更快。
开启电压：通常在0.2V ~ 0.4V之间；
结构特点：无PN结，因而无反向恢复问题；
优点：开关速度极快，正向压降低，功耗小；
缺点：反向击穿电压较低，漏电流较大。
二、性能参数对比分析
性能参数
普通二极管（硅）
肖特基二极管
正向压降（Vf） | 约0.6~0.7V | 约0.2~0.4V |
反向漏电流（Ir） | 较小 | 相对较大 |
反向击穿电压（Vbr） | 可达几百伏甚至更高 | 通常低于100V |
开关速度（反向恢复时间） | 以微秒计 | 以纳秒计，几乎为零 |
耐热性 | 较强 | 相对较弱 |
成本 | 低 | 稍高 |
三、典型应用场景分析
3.1 普通二极管应用场景
整流电路：电源桥式整流，滤波整流；
续流保护：继电器、电感等负载的续流保护；
低频信号检测与放大电路；
高压应用：如电视行输出整流、工业控制；