NMOS和PMOS导通的条件

NMOS（N沟道MOSFET）

导通条件：

• 栅源电压 $V_{GS}$ 必须大于阈值电压 $V_{th}$

  $$V_{GS} > V_{th}$$

  其中：

• $V_{GS} = V_G - V_S$

• $V_{th}$ 通常为正值（例如 1~2V）

• 漏极电流 $I_D$ 开始流动
  当满足 $V_{GS} > V_{th}$ 时，NMOS 从截止状态进入线性区或饱和区，开始导通。

特点：

• 源极通常接地（0V）

• 漏极接负载或电源电压

• 栅极高电平导通（逻辑 1）

• 导通时漏极对源极为低阻态。

 PMOS（P沟道MOSFET）

导通条件：

• 栅源电压 $V_{GS}$ 必须小于阈值电压 $V_{th}$

  $$V_{GS} < V_{th}$$

  其中：

• $V_{th}$ 通常为负值（例如 -1~-2V）

• $V_{GS} = V_G - V_S$

• 漏极电流 $I_D$ 开始流动
  当满足 $V_{GS} < V_{th}$ 时，PMOS 从截止状态进入导通。

特点：

• 源极通常接电源（Vdd）

• 漏极接负载或地

• 栅极低电平导通（逻辑 0）

• 导通时漏极对源极为低阻态。

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