1. LDO输入电容选择
1.1 作用
稳定输入电压，防止输入电压瞬间下降引起LDO工作异常。
减少输入电压纹波和噪声。
提供LDO瞬态输出电流时的储能缓冲。
1.2 参数选择
容量大小
常规值：1μF~10μF（陶瓷电容常用 4.7μF/10μF）。
对于长输入导线或高频负载，建议增加输入电容容量。
ESR（等效串联电阻）
对输入电容来说，ESR通常不是LDO稳定性关键，但过高会增加噪声。
推荐低ESR陶瓷电容（X7R/NPO）优先。
耐压
输入电压的1.5倍以上为佳，保证安全裕度。
1.3 实践建议
陶瓷电容为主，放在LDO输入脚附近，靠近IC引脚，减少PCB寄生阻抗。
对于开关电源下游的LDO，可以适当增加输入电容（例如 10~22μF）以滤掉开关噪声。
2. LDO输出电容选择
2.1 作用
确保LDO环路稳定。
改善瞬态响应，减小输出电压跌落或上升。
滤除输出纹波和噪声。
2.2 参数选择
容量
小功率LDO（几百 mA）：1μF~10μF
中功率LDO（1A左右）：10μF~47μF
不同LDO对输出电容要求不同，通常厂家手册会给出范围。
典型值：
容量越大，瞬态性能越好，但过大可能增加上电时间或浪涌电流。
ESR
支持低ESR陶瓷电容（X7R/NPO），ESR一般 < 100 mΩ。
传统LDO（非低ESR设计）可能要求1Ω~5Ω的电解或钽电容。
ESR过低 → LDO可能振荡（部分旧款LDO对陶瓷电容敏感）
ESR过高 → 瞬态响应变差
对输出电容来说非常关键，关系到环路稳定性。
LDO通常指定一个ESR范围：
对现代LDO：
耐压
输出电压的1.5倍以上，保证安全。
2.3 实践经验
陶瓷电容优先，放置靠近LDO输出端引脚。
对于要求高瞬态响应的系统，可并联小ESR陶瓷电容+中等ESR钽电容组合。
如果手册给出推荐电容（容量+ESR），严格按照手册选取最保险。
3. 常见问题与误区
| 问题 | 原因 | 解决 |
|---|---|---|
| 输出振荡 | 输出电容ESR太低，环路不稳定 | 增加ESR或使用LDO推荐的陶瓷电容型号 |
| 输入电压尖峰 | 输入电容不足 | 增加输入电容容量或降低布线阻抗 |
| 瞬态下输出下坠 | 输出电容过小或ESR过高 | 增加输出电容或并联陶瓷电容 |
4. 小结
| 电容 | 作用 | 容量范围 | ESR |
|---|---|---|---|
| 输入电容 | 滤波、稳定输入 | 1~10μF（陶瓷） | 低ESR优先 |
| 输出电容 | 稳定环路、改善瞬态 | 1~47μF（根据IC手册） | ESR需满足LDO要求，现代可用低ESR陶瓷 |
✅ 设计原则：优先选择厂家手册推荐的电容类型和数值；陶瓷电容为首选，注意容量和ESR对稳定性及瞬态响应的影响。