2023-03-30 13:22:07
| 额定功率 | 200mW | 集电极电流Ic | 50mA |
| 集射极击穿电压Vce | 50V | 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 300mV @ 500µA，10mA | 频率 - 跃迁 | 250MHz |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 10 kOhms |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 30 @ 5mA，5V |
| 功率 - 最大值 | 200mW | 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 50mA | 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器 - 发射极 (R2) | 10 kOhms | 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 50mA | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电阻器 - 基极 (R1) | 10 kOhms | 电阻器 - 发射极 (R2) | 10 kOhms |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 30 @ 5mA，5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 300mV @ 500µA，10mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA | 频率 - 跃迁 | 250MHz |
| 功率 - 最大值 | 200mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SMT3 |