场效应管(MOSFET) SI1013CX-T1-GE3 SOT-523中文介绍，威世(VISHAY)

SI1013CX-T1-GE3 SOT-523 场效应管（MOSFET）科学分析

一、概述

SI1013CX-T1-GE3 SOT-523 是一款由威世 (Vishay) 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET，采用 SOT-523 封装。该器件具有高开关速度、低导通电阻和高耐压等特点，适用于各种应用场合，例如电源管理、电机驱动、开关电源、信号放大等。

二、器件参数

| 参数 | 值 | 单位 |

|---|---|---|

| 漏极-源极电压 (VDSS) | 130 | V |

| 漏极电流 (ID) | 4.5 | A |

| 导通电阻 (RDS(ON)) | 3.5 | mΩ |

| 栅极阈值电压 (VGS(th)) | 2.0 | V |

| 输入电容 (Ciss) | 1500 | pF |

| 输出电容 (Coss) | 300 | pF |

| 结电容 (Crss) | 150 | pF |

| 工作温度范围 | -55~150 | ℃ |

| 封装 | SOT-523 | |

三、工作原理

SI1013CX-T1-GE3 是一种 N 沟道增强型 MOSFET，其工作原理基于 MOS 结构。其结构由三个部分组成：源极、漏极和栅极。

1. 源极 (S)：电子流入器件的区域。

2. 漏极 (D)：电子流出器件的区域。

3. 栅极 (G)：控制电子流动的区域。栅极与源极之间隔着一层绝缘层，称为氧化层。

当栅极电压 (VGS) 大于栅极阈值电压 (VGS(th)) 时，氧化层下方的通道被打开，电子能够从源极流向漏极，形成导通电流。当 VGS 低于 VGS(th) 时，通道关闭，器件处于截止状态。

四、应用领域

SI1013CX-T1-GE3 由于其优异的性能，被广泛应用于各种领域：

1. 电源管理：作为开关器件用于 DC-DC 转换器、LED 驱动器、电池充电器等。

2. 电机驱动：用作电机控制器，实现电机启动、停止、速度调节等功能。

3. 开关电源：用作开关器件，实现电压转换、电流控制等功能。

4. 信号放大：用作放大器，实现信号放大、功率放大等功能。

5. 其他应用：还可以应用于消费电子产品、工业设备、汽车电子等领域。

五、特点与优势

SI1013CX-T1-GE3 MOSFET 具有以下特点和优势：

1. 高开关速度：低输入电容 (Ciss) 和输出电容 (Coss) 确保了器件的快速开关响应。

2. 低导通电阻：较低的导通电阻 (RDS(ON)) 使得器件在导通状态下具有较低的功耗损失。

3. 高耐压：较高的漏极-源极电压 (VDSS) 确保器件能够承受高电压。

4. 高电流容量：较高的漏极电流 (ID) 使得器件能够承受较大的电流。

5. SOT-523 封装：采用 SOT-523 封装，尺寸小巧，易于安装和使用。

六、注意事项

1. 栅极电压：栅极电压必须低于器件的最大栅极电压 (VGS(max))，否则可能会导致器件损坏。

2. 漏极电流：漏极电流必须低于器件的最大漏极电流 (ID(max))，否则可能会导致器件过热。

3. 功耗：器件在工作时会产生热量，必须确保器件的散热良好，避免过热。

4. 反向电压：避免器件承受反向电压，否则可能会导致器件损坏。

七、封装

SI1013CX-T1-GE3 采用 SOT-523 封装，该封装是一种表面贴装型封装，尺寸小巧，易于安装和使用。SOT-523 封装具有三个引脚，分别为源极 (S)、漏极 (D) 和栅极 (G)。

八、总结

SI1013CX-T1-GE3 是一款性能优越的 N 沟道增强型 MOSFET，具有高开关速度、低导通电阻、高耐压和高电流容量等特点，适用于各种应用场合。该器件是电源管理、电机驱动、开关电源、信号放大等领域的理想选择。

九、参考资料

* Vishay SI1013CX-T1-GE3 datasheet

十、相关搜索

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