场效应管(MOSFET) SI1013R-T1-GE3 SC-75A中文介绍，威世(VISHAY)

威世(VISHAY) SI1013R-T1-GE3 SC-75A 场效应管(MOSFET) 中文介绍

一、概述

SI1013R-T1-GE3 是一款由威世(VISHAY) 公司生产的 N沟道增强型 MOSFET，采用 SC-75A 封装，适用于各种低压应用。该器件拥有优异的性能指标，包括低导通电阻、快速开关速度、高耐压，以及可靠的性能。它在消费电子、工业控制、汽车电子等领域有着广泛的应用，例如电源管理、电机驱动、开关电源、信号放大等。

二、关键特性

* N沟道增强型 MOSFET：该器件属于 N沟道增强型 MOSFET，这意味着它需要一个正电压来开启通道，从而使电流能够流过。

* 低导通电阻 (RDS(on))： SI1013R-T1-GE3 具有低导通电阻，这意味着在开启状态下，器件的导通阻抗很低，可以减少功耗。

* 快速开关速度：该器件具有快速的开关速度，可以实现更高效的电源转换和信号处理。

* 高耐压 (VDSS)：该器件具有较高的耐压，可以承受更大的电压变化，使其在高压应用中更加稳定。

* 低漏电流 (IDSS)： SI1013R-T1-GE3 的漏电流非常低，有助于减少功耗和提高效率。

* 低栅极电荷 (Qg)：该器件的栅极电荷很低，可以实现更快的开关速度和更高的效率。

* SC-75A 封装：该器件采用 SC-75A 封装，适合表面贴装应用。

三、技术参数

以下是 SI1013R-T1-GE3 的主要技术参数：

| 参数 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

|-------------------|------------------|---------|----------|

| 漏极-源极耐压 (VDSS) | 30 | 30 | V |

| 漏极电流 (ID) | 1.0 | 1.5 | A |

| 导通电阻 (RDS(on)) | 25 | 30 | mΩ |

| 栅极阈值电压 (Vth) | 2.0 | 3.5 | V |

| 漏电流 (IDSS) | 100 | 250 | μA |

| 栅极电荷 (Qg) | 10 | 15 | nC |

| 结电容 (Ciss) | 1000 | 1500 | pF |

| 工作温度 | -55 to 150 | | °C |

四、内部结构与工作原理

SI1013R-T1-GE3 内部结构包含三个主要部分：

1. 源极 (S)：电流从源极流出。

2. 漏极 (D)：电流流入漏极。

3. 栅极 (G)：控制通道电流的开关。

当栅极电压 (VGS) 达到一定阈值电压 (Vth) 时，会在器件内部形成一个导电通道，电流可以从源极流向漏极。随着栅极电压的增加，通道的导通电阻降低，漏极电流增大。当 VGS 降低到低于 Vth 时，通道关闭，漏极电流也随之降低。

五、应用领域

SI1013R-T1-GE3 凭借其优异的性能和可靠性，在各种电子系统中都有着广泛的应用，例如：

* 电源管理：用于 DC-DC 转换器、电源开关、电源线管理。

* 电机驱动：用于控制电机速度和方向。

* 开关电源：用于高效的电源转换。

* 信号放大：用于音频放大器、视频放大器等。

* 消费电子：用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑等。

* 工业控制：用于自动化系统、机器控制。

* 汽车电子：用于汽车音响、车灯控制、安全系统。

六、设计注意事项

在设计使用 SI1013R-T1-GE3 的电路时，需要考虑以下几点：

* 散热：当器件工作在高电流状态下，会产生一定的热量。需要确保器件有足够的散热空间，防止温度过高导致器件损坏。

* 驱动电路：栅极驱动电路需要提供足够的电流和电压，以确保器件能够可靠地开启和关闭。

* 布局：器件的布局需要合理，避免器件之间相互影响，例如寄生电感和电容。

* 保护：需要使用保护电路，例如浪涌抑制器，来保护器件免受过电压和过电流的损坏。

七、封装信息

SI1013R-T1-GE3 采用 SC-75A 表面贴装封装，尺寸为 2.90mm x 1.60mm x 0.90mm。该封装具有良好的热性能和可靠性，适合在各种应用中使用。

八、结论

SI1013R-T1-GE3 是一款性能优异、可靠性高的 N沟道增强型 MOSFET，在各种低压应用中都具有广泛的应用价值。其低导通电阻、快速开关速度、高耐压等特点使其成为电源管理、电机驱动、开关电源等领域的首选器件。在设计使用该器件的电路时，需要充分考虑散热、驱动电路、布局、保护等因素，确保器件能够稳定可靠地工作。

场效应管(MOSFET) SI1013R-T1-GE3 SC-75A中文介绍，威世(VISHAY)

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