场效应管(MOSFET) SQD50N04-5M6_T4GE3 TO-252中文介绍，威世(VISHAY)

更新时间：2025-12-17

威世(VISHAY) SQD50N04-5M6_T4GE3 TO-252 场效应管 (MOSFET) 中文介绍

一、概述

SQD50N04-5M6_T4GE3 TO-252 是一款由威世 (VISHAY) 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-252 封装，具有低导通电阻和高速开关特性。该器件适用于各种功率转换应用，例如：

* 电源管理：稳压器、DC-DC 转换器、电池充电器

* 电机控制：马达驱动器、伺服系统

* 通信设备：基站电源、无线充电

* 工业设备：焊接机、变频器

二、技术参数

| 参数 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

|---------------------------|---------|---------|-------|

| 漏极-源极电压 (V_DSS) | 50 | 60 | V |

| 漏极电流 (I_D) | 50 | 65 | A |

| 导通电阻 (R_DS(ON)) | 4.5 | 5.5 | mΩ |

| 门极阈值电压 (V_GS(th)) | 2.5 | 4 | V |

| 输入电容 (C_iss) | 2200 | 2500 | pF |

| 输出电容 (C_oss) | 1300 | 1500 | pF |

| 反向传输电容 (C_rss) | 100 | 120 | pF |

| 开关时间 (t_on) | 25 | 35 | ns |

| 开关时间 (t_off) | 40 | 50 | ns |

| 工作温度范围 | -55 | 175 | ℃ |

三、内部结构与工作原理

SQD50N04-5M6_T4GE3 TO-252 内部结构由一个 N 沟道 MOSFET 和一个保护二极管组成。该器件工作原理如下：

* N 沟道 MOSFET: 当门极电压 (V_GS) 高于门极阈值电压 (V_GS(th)) 时，N 沟道 MOSFET 导通，电流可以从漏极流向源极。

* 保护二极管: 当漏极电压 (V_DS) 低于源极电压 (V_S) 时，保护二极管导通，防止反向电流流过 MOSFET。

四、典型应用

1. 电源管理

SQD50N04-5M6_T4GE3 TO-252 适用于 DC-DC 转换器、稳压器和电池充电器。其低导通电阻和高速开关特性可以提高电源转换效率，并减少转换过程中产生的热量。

2. 电机控制

该器件可以用于马达驱动器、伺服系统等应用。其高电流承载能力和低导通电阻可以满足电机控制对电流和功率的要求。

3. 通信设备

SQD50N04-5M6_T4GE3 TO-252 适用于基站电源、无线充电等通信设备应用。其可靠性和稳定性可以确保通信设备的正常工作。

4. 工业设备

该器件可以用于焊接机、变频器等工业设备应用。其高电流承载能力和耐高温特性可以满足工业设备的苛刻要求。

五、特点与优势

* 低导通电阻: R_DS(ON) 低至 4.5mΩ，提高电源转换效率，减少热量损失。

* 高速开关特性: 开关时间 (t_on, t_off) 分别为 25ns 和 40ns，提高电源转换速度。

* 高电流承载能力: 漏极电流 (I_D) 可达 50A，满足高功率应用需求。

* 耐高温性: 工作温度范围 -55 ℃ 至 175 ℃，适应各种工作环境。

* TO-252 封装: 小尺寸，易于安装，适合空间受限的应用。

六、应用注意事项

* 在使用该器件时，需要注意门极电压和漏极电压的限制，避免超过其额定值。

* 在设计电路时，需要考虑散热问题，防止器件过热。

* 建议使用合适的驱动电路来控制 MOSFET 的开关速度。

七、总结

SQD50N04-5M6_T4GE3 TO-252 是一款性能优异的 N 沟道增强型功率 MOSFET，具有低导通电阻、高速开关特性、高电流承载能力、耐高温性等特点，适用于各种功率转换应用。该器件可以帮助工程师设计出更高效、更可靠的电源系统和电机控制系统。

八、参考文献

* VISHAY 公司官网：/

* SQD50N04-5M6_T4GE3 TO-252 数据手册：

九、关键词

场效应管, MOSFET, SQD50N04-5M6_T4GE3, TO-252, 威世, VISHAY, 功率转换, 电源管理, 电机控制, 通信设备, 工业设备

场效应管(MOSFET) SQD50N04-5M6_T4GE3 TO-252中文介绍，威世(VISHAY)

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