场效应管(MOSFET) SQD50N06-09L_GE3 TO-252-2(DPAK)中文介绍，威世(VISHAY)

更新时间：2025-12-16

威世 SQD50N06-09L_GE3 TO-252-2(DPAK) 场效应管详解

概述

SQD50N06-09L_GE3 是一款由威世 (Vishay) 生产的 N 沟道增强型 MOSFET，采用 TO-252-2 (DPAK) 封装。它是一种高性能、低功耗的器件，广泛应用于各种电子设备，例如电源转换、电机驱动、开关应用等。本文将详细介绍 SQD50N06-09L_GE3 的特性、参数、应用和注意事项。

主要特性

* N 沟道增强型 MOSFET: 这意味着器件在栅极电压为正值时导通，而当栅极电压为负值或为零时处于截止状态。

* TO-252-2 (DPAK) 封装: 这是一种紧凑型封装，适用于空间有限的应用。

* 高电流承载能力: 该器件的最大电流承载能力为 50 安培，这使其适用于高电流应用。

* 低导通电阻: 典型导通电阻 (RDS(on)) 为 9 毫欧，这有助于降低功耗和提高效率。

* 高开关速度: 该器件具有较快的开关速度，适用于快速开关应用。

* 高耐压: 该器件的耐压 (VDSS) 为 60 伏，适用于各种电压等级的应用。

* 低栅极电荷: 这有助于提高开关速度并降低功耗。

* 低功耗: 由于导通电阻和栅极电荷较低，该器件的功耗较低。

* 可靠性: 该器件通过严格的测试和质量控制，具有很高的可靠性。

参数

以下表格列出了 SQD50N06-09L_GE3 的主要参数：

| 参数 | 值 | 单位 |

|---------------------|-------------|-------|

| 漏极-源极电压 (VDSS) | 60 | 伏特 |

| 漏极电流 (ID) | 50 | 安培 |

| 导通电阻 (RDS(on)) | 9 | 毫欧 |

| 栅极电压 (VGS(th)) | 2-4 | 伏特 |

| 栅极电荷 (Qg) | 80 | 纳库 |

| 结电容 (Ciss) | 1200 | 皮法 |

| 封装 | TO-252-2 (DPAK) | |

应用

SQD50N06-09L_GE3 广泛应用于以下领域：

* 电源转换: 作为开关电源中的功率开关器件，用于提高电源效率和可靠性。

* 电机驱动: 作为电机驱动电路中的开关器件，用于控制电机速度和转矩。

* 开关应用: 作为开关电路中的开关器件，用于控制各种负载，例如灯具、风扇、加热器等。

* 汽车电子: 作为汽车电子系统中的开关器件，用于控制各种功能，例如灯光、空调、安全系统等。

* 工业设备: 作为工业设备中的开关器件，用于控制各种过程，例如生产线、机器人等。

使用注意事项

* 栅极驱动: 使用合适的栅极驱动器件来驱动 MOSFET，确保驱动电压足够高，驱动电流足够大，以确保 MOSFET 快速、可靠地开关。

* 散热: 该器件在工作时会产生热量，需要采取适当的散热措施，例如使用散热器，以确保其正常工作。

* 反向电压: 避免将反向电压施加到器件的漏极-源极之间，否则会损坏器件。

* 静电保护: 该器件对静电敏感，在处理和安装时需采取防静电措施，例如佩戴防静电手环，使用防静电工作台等。

* 工作温度: 器件的工作温度应在规定的范围内，以确保其正常工作。

总结

SQD50N06-09L_GE3 是一款高性能、低功耗的 N 沟道增强型 MOSFET，具有高电流承载能力、低导通电阻、高开关速度和高耐压等优点，广泛应用于各种电子设备，例如电源转换、电机驱动、开关应用等。在使用该器件时，需注意栅极驱动、散热、反向电压和静电保护等问题。

关键词

MOSFET，场效应管，SQD50N06-09L_GE3，威世 (Vishay)，TO-252-2 (DPAK)，电源转换，电机驱动，开关应用，高电流承载能力，低导通电阻，高开关速度，高耐压，低功耗，可靠性。

参考文献

* Vishay SQD50N06-09L_GE3 数据手册

* MOSFET 工作原理

* 电机驱动原理

* 开关电源原理

场效应管(MOSFET) SQD50N06-09L_GE3 TO-252-2(DPAK)中文介绍，威世(VISHAY)

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