场效应管(MOSFET) NCE30D2519K TO-252-4中文介绍，新洁能(NCE)

更新时间：2025-12-16

NCE30D2519K TO-252-4 场效应管：新洁能科技的功率半导体解决方案

一、产品概述

NCE30D2519K TO-252-4 是一款由新洁能科技（NCE）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-252-4 封装。该器件具有高电流承载能力、低导通电阻和快速的开关速度，使其成为多种应用的理想选择，例如电源转换、电机驱动、照明系统和工业控制。

二、产品特性

* 高电流承载能力： NCE30D2519K 拥有 30A 的持续电流承载能力，能够满足高功率应用的需求。

* 低导通电阻：较低的导通电阻（RDS(on)）可以有效降低功耗，提高转换效率。

* 快速开关速度：快速的开关速度可以缩短开关时间，提高系统的效率和可靠性。

* 耐压性： NCE30D2519K 具有 190V 的耐压能力，可以应对高电压环境。

* 高可靠性： NCE30D2519K 通过了严格的可靠性测试，确保了其稳定性和耐久性。

* TO-252-4 封装： TO-252-4 封装是目前应用广泛的功率半导体封装形式，具有良好的散热性能和机械强度。

三、产品参数

| 参数名称 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

|---|---|---|---|

| 漏极源极间电压 (VDS) | - | 190 | V |

| 漏极源极间电流 (ID) | - | 30 | A |

| 导通电阻 (RDS(on)) | 1.9 | 2.5 | mΩ |

| 门极阈值电压 (VGS(th)) | 2.5 | 4 | V |

| 输入电容 (Ciss) | - | 1000 | pF |

| 输出电容 (Coss) | - | 100 | pF |

| 反向恢复时间 (trr) | - | 10 | ns |

| 工作温度范围 | -55 | +150 | ℃ |

| 封装类型 | TO-252-4 | - | - |

四、产品应用

NCE30D2519K 在多种应用领域具有广泛的应用价值：

* 电源转换：用于 DC-DC 转换器、开关电源、电源适配器等，提高转换效率和功率密度。

* 电机驱动：用于直流电机、交流电机控制，实现高效的电机驱动控制。

* 照明系统：用于 LED 照明驱动电路，提升照明效率和寿命。

* 工业控制：用于工业设备的控制系统，例如机械臂、焊接设备等，提高控制精度和可靠性。

* 其他应用：还可以应用于通信设备、消费电子产品等领域。

五、产品优势

* 高性价比： NCE30D2519K 在性能和价格方面取得了良好的平衡，性价比优势明显。

* 可靠性高：经过严格的测试和验证，确保产品质量和稳定性。

* 应用广泛：适用于多种应用场景，满足不同用户的需求。

* 技术支持：新洁能科技提供完善的技术支持，帮助用户快速解决问题。

六、工作原理

NCE30D2519K 属于 N 沟道增强型 MOSFET，其工作原理如下：

* 当门极电压低于阈值电压时，MOSFET处于截止状态，漏极电流几乎为零。

* 当门极电压高于阈值电压时，MOSFET处于导通状态，形成一个导通通道，电流可以从源极流向漏极。

* MOSFET 的导通电阻与门极电压和沟道尺寸有关。

七、注意事项

* 使用 NCE30D2519K 时，需要注意其最大工作电压和电流，避免器件损坏。

* 在设计电路时，要考虑 MOSFET 的开关速度和输入电容，以确保电路的稳定性和可靠性。

* 使用散热器可以有效降低 MOSFET 的工作温度，延长器件寿命。

八、总结

NCE30D2519K TO-252-4 是新洁能科技提供的一款高性能、高可靠性的功率 MOSFET，适用于多种应用场景，可以有效提高系统效率、可靠性和功率密度。该产品性价比高，技术支持完善，为用户提供了可靠的功率半导体解决方案。

场效应管(MOSFET) NCE30D2519K TO-252-4中文介绍，新洁能(NCE)

推荐阅读

联系我们