北京市,市辖区,东城区,
新洁能 NCEP039N10M TO-220 场效应管 (MOSFET) 深度解析
一、产品概述
NCEP039N10M 是一款由新洁能（NCE）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，采用 TO-220 封装。它是一款高性能、高可靠性的功率器件，拥有优异的电流承载能力和开关速度，广泛应用于各种电子设备和系统中，例如电源供应器、电机控制、照明驱动器、太阳能逆变器等。
二、产品规格参数
| 参数 | 规格 | 单位 |
|--------------------------|-------------------------------|-------|
| 漏极-源极电压 (VDSS) | 100 | V |
| 漏极电流 (ID) | 39 | A |
| 栅极-源极电压 (VGS) | ±20 | V |
| 导通电阻 (RDS(on)) | 0.039 (典型值，VGS=10V) | mΩ |
| 输入电容 (Ciss) | 1500 | pF |
| 输出电容 (Coss) | 1000 | pF |
| 反向传输电容 (Crss) | 100 | pF |
| 结点温度 (Tj) | 150 | ℃ |
| 封装 | TO-220 | |
三、产品特点
* 高电流承载能力：NCEP039N10M 拥有高达 39A 的漏极电流，能够满足各种高电流应用需求。
* 低导通电阻：低至 0.039mΩ 的导通电阻，有效降低功率损耗，提高效率。
* 快速开关速度：快速的开关速度，能够实现高效的功率转换和控制。
* 可靠性高：采用先进的工艺和封装技术，确保产品拥有良好的可靠性和稳定性。
* 应用广泛：适用于各种电子设备和系统，例如电源供应器、电机控制、照明驱动器、太阳能逆变器等。
四、工作原理
NCEP039N10M 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，其工作原理如下：
* 结构：MOSFET 的结构包括一个 N 型半导体基片、一个氧化层、一个金属栅极和两个 P 型掺杂区域 (源极和漏极)。
* 工作原理：当在栅极施加正电压时，栅极电压会吸引 N 型基片中的电子向氧化层表面移动，形成一个导电通道，连接源极和漏极。通道的电流大小由栅极电压控制。当栅极电压为零或负电压时，通道不会形成，器件处于关闭状态。
五、应用场景
NCEP039N10M 凭借其优异的性能，在多种应用场景中发挥重要作用：
* 电源供应器：作为开关电源中的功率开关，控制电流输出，提高效率。
* 电机控制：用于电机驱动电路，实现对电机转速和扭矩的控制。
* 照明驱动器：在 LED 照明驱动器中作为功率开关，控制电流大小，实现亮度调节。
* 太阳能逆变器：作为逆变器的功率开关，将直流电转换为交流电。
* 其他高电流应用：例如焊接设备、充电器、工业设备等。
六、产品选型建议
在选择 NCEP039N10M 或其他 MOSFET 时，需要考虑以下因素：
* 额定电流：选择能满足负载电流需求的器件。
* 额定电压：选择能够承受工作电压的器件。
* 导通电阻：选择导通电阻尽可能低的器件，以降低功率损耗。
* 开关速度：选择适合应用场景的开关速度。
* 封装：选择适合电路板布局的封装类型。
* 可靠性和稳定性：选择拥有良好的可靠性和稳定性的产品。
七、使用注意事项
* 为了保证 MOSFET 正常工作，需要采取一定的防护措施，例如：
* 热量散失： MOSFET 工作时会产生热量，需要采用散热片或风扇进行散热。
* 静电保护： MOSFET 对静电敏感，需要采取静电防护措施，例如使用防静电手腕带和防静电工作台。
* 偏压保护： 避免在栅极上施加过高的电压，防止器件损坏。
* 过电流保护： 需要使用合适的保险丝或过流保护电路，防止器件过载。
* 反向电压保护： 需要使用二极管或其他保护电路，防止器件受到反向电压的损坏。
八、结语
NCEP039N10M 是一款性能优异、可靠性高的 MOSFET，广泛应用于各种电子设备和系统中。在选择和使用该器件时，需要根据具体应用场景和需求选择合适的参数和防护措施，以确保器件能够正常工作，并发挥其最佳性能。
九、参考资料
* NCE 官网产品资料： [/)
* MOSFET 工作原理： [/)
* MOSFET 应用： [)
十、关键词
NCEP039N10M，N 沟道增强型 MOSFET，TO-220，新洁能，电源供应器，电机控制，照明驱动器，太阳能逆变器，高电流，低导通电阻，快速开关速度，可靠性，应用场景，使用注意事项，选型建议。
海量现货云仓
闪电发货
原厂正品 品质保障
个性化采购方案
周一至周日8:00-18:00
(仅收市话费)
Copyright © 2016-2025 BOM电子元器件商城 版权所有 保留一切权利 备案号: 粤ICP备14093259号
售前客服