场效应管(MOSFET) NCEP40T13GU DFN-8(4.9x5.8)中文介绍，新洁能(NCE)

更新时间：2025-12-19

新洁能 NCEP40T13GU DFN-8(4.9x5.8) 场效应管详细介绍

一、概述

NCEP40T13GU 是一款由新洁能（NCE）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，采用 DFN-8（4.9x5.8）封装。该器件具有低导通电阻、高开关速度和低功耗等优点，适用于各种电源管理、电机控制、LED 驱动、电池充电器等应用场景。

二、产品参数

| 参数 | 值 | 单位 |

|---|---|---|

| 漏极电流 (ID) | 40A | A |

| 漏极-源极电压 (VDS) | 30V | V |

| 栅极-源极电压 (VGS) | ±20V | V |

| 导通电阻 (RDS(on)) | 13mΩ | Ω |

| 栅极电荷 (Qg) | 16nC | nC |

| 输入电容 (Ciss) | 1250pF | pF |

| 输出电容 (Coss) | 210pF | pF |

| 工作温度范围 | -55℃ ~ 150℃ | ℃ |

| 封装类型 | DFN-8 (4.9x5.8) | |

三、产品特性

* 低导通电阻 (RDS(on))： 13mΩ 的低导通电阻可以最大限度地降低功率损耗，提高效率。

* 高开关速度：较低的栅极电荷 (Qg) 和输入电容 (Ciss) 确保了器件的快速开关速度，适合高频应用。

* 低功耗：低导通电阻和高开关速度共同保证了器件的低功耗特性。

* 宽电压范围： ±20V 的栅极-源极电压范围，可应用于多种电源系统。

* 可靠性高：新洁能（NCE）严格的生产工艺和质量控制，确保了器件的长期可靠性。

* DFN-8 封装： DFN-8 (4.9x5.8) 封装尺寸小巧，适合高密度电路板布局。

四、应用场景

NCEP40T13GU 适用于各种应用场景，包括：

* 电源管理：作为开关电源、DC-DC 转换器的开关器件，提高转换效率和降低功耗。

* 电机控制：用于驱动电机，实现速度控制和扭矩控制。

* LED 驱动：作为 LED 驱动器的开关器件，实现高效率的 LED 照明。

* 电池充电器：用于设计高效率的电池充电器，提高充电速度和延长电池寿命。

* 其他应用：还可以应用于工业控制、仪器仪表、通信设备等领域。

五、电路设计

在使用 NCEP40T13GU 时，需要根据具体应用场景选择合适的电路设计方案。以下是一些常见的设计要点：

* 驱动电路设计：由于 NCEP40T13GU 具有较低的栅极电荷，需要选择合适的驱动电路来保证器件快速开关，避免开关过程中的功耗损失。

* 散热设计：由于器件的电流容量较大，需要进行合理的散热设计，避免器件过热导致性能下降或损坏。

* 保护电路设计：需要设计必要的保护电路，例如过流保护、过压保护、短路保护等，确保器件安全运行。

* 布局布线设计：需要合理布局布线，减少寄生电感和电容，降低信号干扰和功耗损失。

六、注意事项

* 静态电荷敏感： MOSFET 是一种静态电荷敏感器件，在操作过程中需要避免静电放电，防止器件损坏。

* 温度影响：器件的性能会受到温度的影响，建议在设计过程中充分考虑温度因素，并进行必要的温度补偿。

* 安全操作：使用 NCEP40T13GU 时，需要严格遵守安全操作规程，避免触电或器件损坏。

七、总结

NCEP40T13GU 是一款高性能、高可靠性的 N 沟道增强型 MOSFET，具有低导通电阻、高开关速度和低功耗等优点，适用于多种应用场景，为电源管理、电机控制、LED 驱动等领域提供可靠的解决方案。在使用该器件时，需要充分了解其特性和注意事项，并进行合理的电路设计，确保器件安全可靠地工作。

八、相关信息

* 新洁能官网： [)

* 产品手册： NCEP40T13GU 产品手册可在新洁能官网下载。

九、关键词

* MOSFET

* 场效应管

* NCEP40T13GU

* 新洁能

* DFN-8

* 低导通电阻

* 高开关速度

* 低功耗

* 电源管理

* 电机控制

* LED 驱动

* 电池充电器

场效应管(MOSFET) NCEP40T13GU DFN-8(4.9x5.8)中文介绍，新洁能(NCE)

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