场效应管(MOSFET) NCEP85T12 TO-220中文介绍，新洁能(NCE)

更新时间：2025-12-18

NCEP85T12 TO-220 场效应管 (MOSFET) 科学分析

一、概述

NCEP85T12 TO-220 是一款由新洁能 (NCE) 公司生产的 N 沟道增强型功率场效应管 (MOSFET)。它采用 TO-220 封装，具有低导通电阻、高电流容量和高开关速度等特点，适用于各种功率转换和控制应用。

二、产品参数

| 参数 | 值 | 单位 |

|-----------------|----------------------|--------|

| 额定电压 (V_DSS) | 100 | V |

| 额定电流 (I_D) | 85 | A |

| 导通电阻 (R_DS(on)) | 12 (最大) | mΩ |

| 门极阈值电压 (V_GS(th)) | 2-4 | V |

| 最大结温 (T_j) | 175 | ℃ |

| 封装 | TO-220 | |

三、产品特点

* 高电流容量：额定电流高达 85A，能够满足高功率应用的需求。

* 低导通电阻：导通电阻仅为 12mΩ (最大)，降低了导通时的功率损耗，提高了效率。

* 高开关速度：具有快速的开关速度，能够有效地控制电流和电压，适用于高速开关应用。

* 可靠性高：经过严格的测试和筛选，保证了产品的高可靠性。

* 应用广泛：适用于各种功率转换和控制应用，例如电源供应器、电机驱动、逆变器、LED 照明等。

四、工作原理

NCEP85T12 TO-220 属于 N 沟道增强型 MOSFET，其工作原理如下：

* 结构： MOSFET 由一个 P 型衬底、一个 N 型沟道和一个栅极组成。栅极由绝缘层与沟道隔开，构成一个电容结构。

* 工作原理：当栅极电压高于门极阈值电压时，栅极与沟道之间形成电场，吸引衬底中的电子，并在沟道中形成导电通道。导电通道的形成使源极与漏极之间形成通路，电流可以从源极流向漏极。

* 导通状态：当栅极电压足够高时，沟道中的电子浓度增大，导通电阻降低，电流可以顺利通过。

* 截止状态：当栅极电压低于门极阈值电压时，沟道中的电子浓度不足，导电通道被切断，电流无法通过。

五、应用电路

NCEP85T12 TO-220 可以应用于各种功率转换和控制电路中，例如：

* 电源供应器：用于电源供应器的开关控制，实现高效率、低损耗的电源转换。

* 电机驱动：用于控制电机速度和方向，实现高效的电机驱动。

* 逆变器：用于将直流电转换为交流电，实现高效的能量转换。

* LED 照明：用于控制LED照明亮度，实现高效率、低功耗的LED驱动。

* 其它应用：还可以用于焊接机、充电器、电池管理系统等各种应用。

六、选型指南

在选择 NCEP85T12 TO-220 时，需要考虑以下因素：

* 工作电压：应选择额定电压大于应用电路工作电压的 MOSFET。

* 工作电流：应选择额定电流大于应用电路工作电流的 MOSFET。

* 导通电阻：应选择导通电阻较低的 MOSFET，以降低导通时的功率损耗。

* 开关速度：应选择开关速度较快的 MOSFET，以满足高速开关应用的需求。

* 封装：应选择适合应用电路的封装，例如 TO-220、TO-247 等。

七、使用注意事项

* 散热： NCEP85T12 TO-220 是一款功率型 MOSFET，工作时会产生热量。需要采取有效的散热措施，例如使用散热片或风冷等方式。

* 保护电路：为了保护 MOSFET，应在电路中添加适当的保护电路，例如过流保护、过压保护等。

* 驱动电路：应选择合适的驱动电路，以确保 MOSFET 能够正常工作。

* 静电保护： MOSFET 对静电比较敏感，使用时应采取静电防护措施，例如使用防静电手环、防静电工作台等。

八、总结

NCEP85T12 TO-220 是一款性能优越、应用广泛的 N 沟道增强型功率场效应管，能够满足各种功率转换和控制应用的需求。选择合适的 MOSFET，并采取相应的保护措施，可以确保其安全可靠地工作。

九、参考资源

* 新洁能 (NCE) 公司官网： [)

* NCEP85T12 TO-220 产品手册： [)

场效应管(MOSFET) NCEP85T12 TO-220中文介绍，新洁能(NCE)

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