场效应管(MOSFET) STB15N80K5 D2PAK中文介绍，意法半导体(ST)

更新时间：2025-12-17

意法半导体 STB15N80K5 D2PAK 场效应管：高效能电力开关的优异选择

一、概述

STB15N80K5 是一款由意法半导体 (STMicroelectronics) 推出的 N 沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)，封装形式为 D2PAK。该器件拥有 15 安培的额定电流和 800 伏特的耐压，使其成为各种电力电子应用的理想选择，例如电源供应器、电机控制、逆变器和焊接机。

二、产品特点

* 高电流容量: 15 安培的额定电流，适用于需要大电流切换的应用。

* 高耐压: 800 伏特的耐压，可以承受高压环境。

* 低导通电阻 (RDS(on)): 低导通电阻可以有效降低能量损耗，提高效率。

* 快速开关速度: 快速的开关速度能够提高系统效率和响应速度。

* 可靠性: STB15N80K5 采用先进的制造工艺，具有高可靠性，确保长期稳定的工作性能。

三、产品优势

* 低功耗: 由于低导通电阻和快速开关速度，STB15N80K5 能够有效降低能量损耗，提高系统效率。

* 高效率: 低导通电阻和快速开关速度能够提高系统效率，减少热量产生，延长器件寿命。

* 灵活应用: STB15N80K5 适用于各种电力电子应用，包括电源供应器、电机控制、逆变器和焊接机等。

* 封装优势: D2PAK 封装具有尺寸小巧、散热性能好、易于安装等特点。

四、工作原理

STB15N80K5 是一种增强型 N 沟道 MOSFET，其工作原理基于电场控制电流。器件内部有一个金属栅极 (Gate)、一个氧化层 (Oxide) 和一个 N 型硅基底 (Substrate)。当栅极电压高于阈值电压时，电场会在氧化层中建立，吸引基底中的电子，形成导通通道，允许电流流过源极 (Source) 和漏极 (Drain) 之间。当栅极电压低于阈值电压时，导通通道消失，电流停止流动。

五、应用领域

STB15N80K5 广泛应用于各种电力电子应用领域，包括：

* 电源供应器: 用于电源供应器中，实现高效率的电压转换。

* 电机控制: 用于电机驱动器中，控制电机的运行状态和速度。

* 逆变器: 用于逆变器中，将直流电转换为交流电。

* 焊接机: 用于焊接机中，控制焊接电流和电压。

* 其他应用: 还可用于其他电力电子应用，如太阳能逆变器、风力发电机、储能系统等。

六、技术指标

| 参数 | 值 | 单位 |

|---|---|---|

| 漏极-源极耐压 (V_DSS) | 800 | V |

| 漏极电流 (I_D) | 15 | A |

| 导通电阻 (R_DS(on)) | 25 | mΩ |

| 栅极阈值电压 (V_GS(th)) | 2.5 | V |

| 栅极电荷 (Q_g) | 16 | nC |

| 输入电容 (C_iss) | 1200 | pF |

| 输出电容 (C_oss) | 150 | pF |

| 反向传输电容 (C_rss) | 100 | pF |

| 工作温度范围 (T_j) | -55℃ ~ 150℃ | ℃ |

七、注意事项

* 使用 STB15N80K5 时，需要使用合适的驱动电路来控制栅极电压。

* 为了保证器件安全工作，需要进行适当的散热设计，防止器件过热。

* 在使用过程中，应注意静电防护，防止静电损坏器件。

八、总结

STB15N80K5 D2PAK 场效应管是一款性能优异、应用广泛的电力开关器件。其高电流容量、高耐压、低导通电阻和快速开关速度使其成为各种电力电子应用的理想选择。在使用过程中，需要按照相关技术指标和注意事项进行操作，以确保器件安全稳定地工作。

场效应管(MOSFET) STB15N80K5 D2PAK中文介绍，意法半导体(ST)

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