场效应管(MOSFET) STB17N80K5 D2PAK中文介绍，意法半导体(ST)

更新时间：2025-12-16

STB17N80K5 D2PAK 场效应管：性能强劲，应用广泛

STB17N80K5 D2PAK 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的 N 沟道增强型功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），专为高功率应用而设计。其出色的性能和可靠性使其广泛应用于电源管理、电机驱动、照明系统等领域。

一、产品规格及特点

STB17N80K5 D2PAK 拥有以下关键规格及特点：

* 漏极-源极电压 (VDSS)： 800V，适用于高电压应用。

* 漏极电流 (ID)： 17A，可承受高电流负载。

* 导通电阻 (RDS(on))：典型值为 18mΩ，低导通电阻可降低功耗。

* 封装： D2PAK，紧凑型封装，适合高功率应用。

* 工作温度范围： -55℃ 到 +175℃，宽工作温度范围适用于各种环境。

* 特性：增强型 N 沟道 MOSFET，具有快速开关速度、低功耗和高可靠性。

二、内部结构及工作原理

STB17N80K5 D2PAK 的内部结构包含：

* 漏极 (D)：输出端，连接到负载。

* 源极 (S)：输入端，连接到电源。

* 栅极 (G)：控制端，通过控制栅极电压来控制漏极电流。

* 沟道：连接漏极和源极的半导体通道，电流通过该通道流动。

* 氧化层：介于栅极和沟道之间的绝缘层。

* 衬底： MOSFET 的基底，通常为硅晶圆。

STB17N80K5 D2PAK 属于增强型 N 沟道 MOSFET，其工作原理如下：

1. 当栅极电压低于阈值电压 (Vth) 时，沟道处于关闭状态，漏极电流几乎为零。

2. 当栅极电压高于 Vth 时，沟道开始形成，漏极电流开始流动。

3. 随着栅极电压的升高，沟道变得更宽，漏极电流也随之增加。

4. 漏极电流的大小由栅极电压和漏极-源极电压决定，并且可以通过控制栅极电压来调节漏极电流。

三、应用领域

STB17N80K5 D2PAK 在许多高功率应用中发挥着重要作用，例如：

* 电源管理：用于电源转换、开关模式电源 (SMPS) 和 DC/DC 转换器等应用。

* 电机驱动：用于驱动直流电机、交流电机和伺服电机。

* 照明系统：用于 LED 照明驱动器、可调光电源和高功率照明应用。

* 工业设备：用于焊接机、切割机、加热器和各种工业设备。

* 汽车电子：用于汽车电源管理、电动汽车驱动系统和车载充电器。

四、主要优势

与传统的双极型晶体管相比，STB17N80K5 D2PAK 具有以下优势：

* 更高的效率： MOSFET 的导通电阻远低于双极型晶体管，可以有效降低功耗，提高系统效率。

* 更快的开关速度： MOSFET 的开关速度比双极型晶体管快得多，可以提高系统响应速度。

* 更小的尺寸： MOSFET 的封装尺寸比双极型晶体管更小，可以节省空间。

* 更高的可靠性： MOSFET 的工作温度范围更宽，抗噪声能力更强，具有更高的可靠性。

五、注意事项

在使用 STB17N80K5 D2PAK 时，需要关注以下注意事项：

* 安全操作范围：始终确保工作电压、电流和温度保持在安全范围内。

* 热量管理： MOSFET 在工作时会产生热量，需要采取措施进行散热，例如使用散热器或风冷。

* 驱动电路设计：驱动电路需要具有足够高的电流和电压，才能有效控制 MOSFET 的开关。

* 电磁兼容性 (EMC)： MOSFET 的开关会产生电磁干扰，需要采取措施进行 EMC 抑制。

六、总结

STB17N80K5 D2PAK 是一款性能优异、应用广泛的功率 MOSFET，其高电压耐受性、高电流容量、低导通电阻和快速开关速度使其成为高功率应用的理想选择。在使用 STB17N80K5 D2PAK 时，需要遵循安全操作指南，并注意热量管理、驱动电路设计和 EMC 抑制等问题，才能充分发挥其优势。

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