场效应管(MOSFET) STB24N60DM2 D2PAK中文介绍，意法半导体(ST)

更新时间：2025-12-17

意法半导体 STB24N60DM2 D2PAK场效应管：科学分析与详细介绍

STB24N60DM2 D2PAK 是一款由意法半导体 (STMicroelectronics) 生产的 N沟道增强型功率 MOSFET，采用 D2PAK 封装。该器件具有较高的额定电压、电流和功率，适用于各种需要高性能开关和控制的应用场景。

一、产品特性概述

STB24N60DM2 D2PAK 拥有以下关键特性：

* 额定电压: 600V，能够承受较高的工作电压。

* 额定电流: 24A，能够承受较大的电流。

* 导通电阻: 典型值 0.025Ω，具有低导通电阻，降低功耗。

* 封装形式: D2PAK，体积小巧，易于安装。

* 工作温度范围: -55℃~+150℃，适合各种工作环境。

* 符合 RoHS 标准: 符合环保要求。

二、产品结构与工作原理

STB24N60DM2 D2PAK 的内部结构主要由以下部分组成：

* 衬底 (Substrate): 构成器件基础的硅材料。

* P 型阱 (P-type well): 用于形成 N 沟道。

* N 型沟道 (N-type channel): 作为电流流通的通道。

* 栅极 (Gate): 控制沟道开关的电极。

* 源极 (Source): 电流流入器件的电极。

* 漏极 (Drain): 电流流出器件的电极。

该器件的工作原理基于场效应原理，即通过在栅极和衬底之间施加电压，改变沟道中电荷的密度，从而控制电流的通断。当栅极电压低于阈值电压时，沟道被关闭，电流无法流通；当栅极电压高于阈值电压时，沟道被打开，电流可以流通。

三、应用领域

STB24N60DM2 D2PAK 凭借其优异的性能和可靠性，在以下应用领域广泛应用：

* 电源转换: 用于开关电源、DC-DC 转换器、逆变器等。

* 电机控制: 用于电机驱动、速度控制、方向控制等。

* 照明系统: 用于 LED 照明、电源控制、调光等。

* 工业自动化: 用于控制系统、机械设备、传感器等。

* 汽车电子: 用于车身控制、动力系统、照明系统等。

四、性能指标分析

* 额定电压 (VDS): 600V，代表器件所能承受的最大漏源电压。

* 额定电流 (ID): 24A，代表器件能够持续承受的最大电流。

* 导通电阻 (RDS(on)): 0.025Ω，代表器件在导通状态下的电阻。

* 阈值电压 (VGS(th)): 2V - 4V，代表栅极电压达到一定值时，沟道开始导通的电压值。

* 栅极电荷 (Qgate): 40nC，代表改变器件状态所需的栅极电荷量。

* 工作温度范围: -55℃~+150℃，代表器件能够正常工作的温度范围。

五、选型参考

选择 STB24N60DM2 D2PAK 时需要考虑以下因素：

* 工作电压和电流: 确保器件的额定电压和电流能够满足应用需求。

* 导通电阻: 较低的导通电阻可以降低功耗和发热。

* 封装形式: D2PAK 封装适合大多数应用场景。

* 温度范围: 确保器件的工作温度范围能够满足应用环境。

六、技术参数与封装图

技术参数:

| 参数 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

|---|---|---|---|

| VDS | 600 | 600 | V |

| ID | 24 | 24 | A |

| RDS(on) | 0.025 | 0.045 | Ω |

| VGS(th) | 2 | 4 | V |

| Qgate | 40 | 60 | nC |

| 工作温度 | -55 | +150 | ℃ |

封装图:

[图片说明：D2PAK 封装图，展示器件的引脚定义和尺寸。]

七、结论

STB24N60DM2 D2PAK 是一款性能优异、可靠性高、应用广泛的 N 沟道增强型功率 MOSFET。其高额定电压、电流、低导通电阻、良好的工作温度范围，使其成为各种电源转换、电机控制、照明系统、工业自动化和汽车电子应用的理想选择。

八、注意事项

* 在使用 STB24N60DM2 D2PAK 时，需要确保其安装方式正确，并采取必要的散热措施。

* 在高频应用中，需要考虑器件的寄生电容和电感对电路的影响。

* 需要参考器件的 datasheet，了解详细的技术参数和应用指南。

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场效应管(MOSFET) STB24N60DM2 D2PAK中文介绍，意法半导体(ST)

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