场效应管(MOSFET) STD10NM60N DPAK中文介绍，意法半导体(ST)

更新时间：2025-12-17

意法半导体STD10NM60N DPAK 场效应管深度解析

引言

STMicroelectronics 的 STD10NM60N DPAK 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，适用于各种应用，例如开关电源、电机控制和 LED 驱动。其独特的性能和可靠性使其成为电源管理领域中不可或缺的重要元件。本文将深入分析 STD10NM60N DPAK 的特性、优势、应用及相关参数，为工程师提供全面的信息。

产品概述

STD10NM60N DPAK 是一个 TO-252 (DPAK) 封装的 N 沟道增强型功率 MOSFET，其主要特性如下：

* 耐压: 600V (V_DSS)

* 电流: 10A (I_D)

* 导通电阻: 0.105Ω (R_DS(on))

* 封装: DPAK (TO-252)

优势与特性

1. 高效能：

* 低导通电阻 (R_DS(on)): 0.105Ω 的低导通电阻可以最大程度降低导通损耗，提高效率。

* 低栅极电荷 (Q_g): 较低的栅极电荷意味着更快的开关速度，进而降低开关损耗，提高效率。

* 低漏电流 (I_DSS): 较低的漏电流意味着更低的静态功耗，提高效率。

2. 高可靠性：

* 高耐压 (V_DSS): 600V 的耐压可以承受更高的工作电压，提高系统可靠性。

* 高结温 (T_j): 175°C 的结温可以承受更高的热负荷，延长器件使用寿命。

* 先进工艺技术: 意法半导体采用先进的工艺技术，确保器件的可靠性和稳定性。

3. 应用灵活：

* DPAK 封装: DPAK 封装体积小、散热性好，适合各种应用场景。

* 广泛应用：适用于开关电源、电机控制、LED 驱动、DC/DC 变换器等领域。

4. 安全性：

* 内置保护二极管: 内置保护二极管可以防止反向电压损坏器件。

* 防静电保护: 采用防静电保护技术，防止静电损坏器件。

参数分析

1. 电气参数:

* 耐压 (V_DSS): 600V，表示器件能够承受的最大漏极-源极电压。

* 电流 (I_D): 10A，表示器件能够承受的最大漏极电流。

* 导通电阻 (R_DS(on)): 0.105Ω，表示器件在开启状态下的漏极-源极之间的电阻。

* 栅极阈值电压 (V_GS(th)): 2.5V，表示栅极-源极电压达到一定值后，器件开始导通。

* 栅极电荷 (Q_g): 50nC，表示器件栅极-源极之间积累的电荷量，影响器件的开关速度。

* 漏电流 (I_DSS): 1uA，表示器件处于截止状态下的漏极电流。

2. 机械参数:

* 封装: DPAK (TO-252)

* 引脚排列: 参照 DPAK 封装规范。

3. 热参数:

* 结温 (T_j): 175°C，表示器件所能承受的最大结温。

* 热阻 (R_th): 1.5°C/W，表示器件结温与环境温度之间温差与功耗的比值。

应用

STD10NM60N DPAK 广泛应用于以下领域：

* 开关电源: 用于 DC/DC 变换器、AC/DC 适配器、电源模块等。

* 电机控制: 用于电机驱动器、伺服控制、电动汽车等。

* LED 驱动: 用于 LED 照明系统、LED 显示屏、LED 背光等。

* 其他应用: 用于无线充电、电源管理、电池管理等。

电路设计建议

* 栅极驱动电路: 设计合适的栅极驱动电路，确保器件快速、可靠地开关。

* 散热设计: 根据器件的功耗和热阻进行合理的散热设计，防止器件过热。

* 布局布线: 合理设计布局布线，降低寄生电感和电容，提高器件性能。

结论

STMicroelectronics 的 STD10NM60N DPAK 是一款高性能、高可靠性的功率 MOSFET，其低导通电阻、低栅极电荷、高耐压和 DPAK 封装使其成为电源管理领域中理想的选择。其广泛的应用范围和优异的性能使其成为工程师设计各种电源管理系统时的首选器件。

关键词

STD10NM60N, MOSFET, DPAK, 意法半导体, 功率器件, 电源管理, 开关电源, 电机控制, LED 驱动, 参数分析, 应用

场效应管(MOSFET) STD10NM60N DPAK中文介绍，意法半导体(ST)

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