场效应管(MOSFET) STP8N120K5 TO-220中文介绍，意法半导体(ST)

更新时间：2025-12-17

ST 意法半导体 STP8N120K5 TO-220 场效应管详解

一、概述

STP8N120K5 是一款由意法半导体 (STMicroelectronics) 生产的 N 沟道增强型功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)，采用 TO-220 封装。该器件适用于各种需要高电流、高电压、低导通电阻的应用，例如开关电源、电机控制、照明系统等。

二、主要特点

* 高电流能力: STP8N120K5 能够承受高达 120A 的连续电流，以及 200A 的脉冲电流。

* 高耐压: 该器件拥有 1200V 的漏源击穿电压，适合高压应用场景。

* 低导通电阻: 拥有低至 0.016Ω 的导通电阻 (R_DS(ON))，可以减少功率损耗。

* 低栅极电荷: 栅极电荷较低，可以实现更快的开关速度。

* 高结温: 允许的工作结温高达 175°C，可以承受恶劣的工作环境。

三、应用领域

* 开关电源: 适用于各种高功率开关电源，例如服务器电源、工业电源等。

* 电机控制: 可用于电机驱动、速度控制等应用。

* 照明系统: 应用于 LED 照明系统，提高效率，降低功耗。

* 焊接设备: 用于各种焊接设备，提供高电流和高电压。

* 其他工业设备: 广泛应用于各种工业设备，例如电气工具、自动化设备等。

四、技术参数

| 参数 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

|--------------|---------|--------|------|

| 漏源击穿电压 | 1200V | 1200V | V |

| 漏源持续电流 | 120A | 120A | A |

| 漏源脉冲电流 | 200A | 200A | A |

| 导通电阻 (R_DS(ON)) | 0.016Ω | 0.020Ω | Ω |

| 栅极阈值电压 | 4V | 6V | V |

| 栅极电荷 (Q_g) | 100nC | 120nC | nC |

| 工作结温 | -55°C | 175°C | °C |

| 封装类型 | TO-220 | TO-220 | |

五、工作原理

STP8N120K5 属于 N 沟道增强型 MOSFET，其工作原理如下：

1. 结构: 该器件由一个 P 型硅衬底、一个 N 型硅沟道、一个氧化层、一个金属栅极和两个欧姆接触组成。

2. 工作原理: 当栅极电压 V_GS 较低时，沟道被耗尽，器件处于截止状态，漏源电流 I_DS 为零。当 V_GS 升高超过阈值电压 V_TH 时，沟道被反型，形成一个导电通道，漏源电流 I_DS 开始流动。

3. 导通电阻: 漏源之间的导通电阻 R_DS(ON) 与沟道中载流子的浓度成反比，与栅极电压 V_GS 和器件的几何尺寸有关。

4. 开关速度: MOSFET 的开关速度主要取决于栅极电荷 Q_g。Q_g 越小，开关速度越快。

六、应用注意事项

* 栅极驱动: STP8N120K5 要求使用合适的栅极驱动电路，以保证其可靠运行。

* 散热: 该器件工作时会产生热量，需要采取有效的散热措施，例如使用散热器。

* 过流保护: 在应用中应加入过流保护电路，防止器件因过流而损坏。

* 过压保护: 为了防止器件因过压而损坏，应使用合适的过压保护器件。

* 反向电压: STP8N120K5 不允许反向电压施加，应注意防止其承受反向电压。

七、总结

STP8N120K5 是一款性能卓越的 N 沟道增强型 MOSFET，具有高电流能力、高耐压、低导通电阻、低栅极电荷和高结温等特点，适用于各种需要高功率、高电压的应用场景。在使用该器件时，应注意相关应用注意事项，以确保其安全可靠运行。

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