场效应管(MOSFET) IPB031N08N5ATMA1 TO-263中文介绍，英飞凌(INFINEON)

更新时间：2025-12-17

英飞凌 MOSFET IPB031N08N5ATMA1 TO-263 技术详解

一、产品概述

IPB031N08N5ATMA1 是一款由英飞凌（Infineon）公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-263 封装。该器件具有低导通电阻 (RDS(on))、高电流容量和快速开关速度等特性，适用于各种应用场合，如电源管理、电机控制、照明驱动等。

二、主要参数

| 参数 | 典型值 | 单位 |

|-----------------------|--------------|------|

| 漏极-源极电压 (VDSS) | 80 | V |

| 漏极电流 (ID) | 31 | A |

| 导通电阻 (RDS(on)) | 0.083 | mΩ |

| 栅极阈值电压 (VGS(th)) | 2.5 | V |

| 输入电容 (Ciss) | 1200 | pF |

| 输出电容 (Coss) | 100 | pF |

| 反向传输电容 (Crss) | 25 | pF |

| 结温 (Tj) | 175 | ℃ |

| 工作温度 (Ta) | -55 到 +175 | ℃ |

| 封装 | TO-263 | |

三、技术特性

1. 低导通电阻 (RDS(on))

IPB031N08N5ATMA1 的 RDS(on) 仅为 0.083 mΩ，这意味着在导通状态下，器件的功率损耗非常低，能够有效提高系统效率。

2. 高电流容量

该器件能够承受高达 31A 的漏极电流，满足了高功率应用的需求。

3. 快速开关速度

IPB031N08N5ATMA1 具有快速开关速度，能够在较短时间内完成开关转换，提高系统效率和响应速度。

4. 坚固耐用

该器件采用 TO-263 封装，具有良好的散热性能，能够承受较高的工作温度和电压。

四、应用领域

* 电源管理: IPB031N08N5ATMA1 可用于各种电源管理系统，包括 DC-DC 转换器、开关电源、充电器等。

* 电机控制: 该器件适用于电机驱动电路，可以实现对电机速度、扭矩等的控制。

* 照明驱动: IPB031N08N5ATMA1 可用于 LED 照明驱动电路，实现高效、稳定的照明。

* 其他应用: 还可用于各种高功率应用，如电焊机、医疗设备等。

五、优势分析

与其他同类产品相比，IPB031N08N5ATMA1 具有以下优势：

* 低导通电阻: 较低的 RDS(on) 能够有效降低功率损耗，提高系统效率。

* 高电流容量: 能够满足高功率应用的需求。

* 快速开关速度: 提高系统响应速度和效率。

* 可靠性: 采用 TO-263 封装，具有良好的散热性能和可靠性。

* 成本效益: 与其他同类产品相比，IPB031N08N5ATMA1 具有良好的性价比。

六、应用注意事项

* 散热: 该器件在高功率应用中需要良好的散热措施，以防止过热损坏。

* 电压: 应确保工作电压不超过器件的额定电压。

* 电流: 应确保工作电流不超过器件的额定电流。

* 开关速度: 应注意器件的开关速度，避免过快或过慢的开关速度导致器件损坏。

七、结论

IPB031N08N5ATMA1 是一款高性能、可靠的功率 MOSFET，具有低导通电阻、高电流容量和快速开关速度等特性，适用于各种应用场合，是工程师们在电源管理、电机控制和照明驱动等领域的选择。

八、参考资料

* Infineon 官网产品资料: [/)

* Infineon 产品手册: [/)

九、关键词

MOSFET, IPB031N08N5ATMA1, 英飞凌, TO-263, 功率 MOSFET, 低导通电阻, 高电流容量, 快速开关速度, 电源管理, 电机控制, 照明驱动

场效应管(MOSFET) IPB031N08N5ATMA1 TO-263中文介绍，英飞凌(INFINEON)

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