场效应管(MOSFET) CJBA3134K DFN1006-3L中文介绍，长电/长晶(JCET)

更新时间：2025-12-17

场效应管 (MOSFET) CJBA3134K DFN1006-3L 中文介绍：长电/长晶 (JCET)

一、概述

CJBA3134K DFN1006-3L 是一款由长电/长晶 (JCET) 生产的 N 沟道增强型 MOSFET，采用 DFN1006-3L 封装。该器件主要应用于电源管理、电池充电、电机驱动等领域。其特点包括低导通电阻、高电流容量、高速开关速度和低功耗。

二、主要参数

| 参数名称 | 参数值 | 单位 |

|---|---|---|

| 导通电阻 (R_DS(on)) | 1.5mΩ (典型值) | Ω |

| 电流容量 (I_D) | 34A | A |

| 栅极阈值电压 (V_GS(th)) | 2.5V | V |

| 工作电压 (V_DS) | 30V | V |

| 栅极电压 (V_GS) | ±20V | V |

| 结温 (T_j) | 175℃ | ℃ |

| 封装 | DFN1006-3L | - |

三、工作原理

CJBA3134K DFN1006-3L 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，其工作原理基于电场控制载流子运动。器件内部结构包含三个主要部分：源极 (S)、漏极 (D) 和栅极 (G)。栅极与通道之间存在一个绝缘层，称为栅极氧化层。

当栅极电压 (V_GS) 低于栅极阈值电压 (V_GS(th)) 时，通道处于关闭状态，几乎没有电流通过器件。当 V_GS 高于 V_GS(th) 时，栅极电压在通道区域产生电场，吸引 N 型载流子 (电子) 从源极向漏极移动，形成导电通道，此时器件处于导通状态，电流可以通过器件。

四、性能特点

* 低导通电阻 (R_DS(on))：低导通电阻可以有效降低器件的功耗，提高效率。

* 高电流容量 (I_D)：高电流容量可以满足高电流应用的需求。

* 高速开关速度：较快的开关速度可以提升器件的响应速度，提高系统效率。

* 低功耗：器件本身功耗低，可以延长电池寿命。

* 可靠性高：采用 DFN1006-3L 封装，具有高可靠性和耐用性。

五、应用领域

* 电源管理：用于 DC-DC 转换器、电池充电器等。

* 电池充电：用于快速充电电路、电池管理系统等。

* 电机驱动：用于电机控制、伺服系统等。

* 其他领域：用于音频放大器、LED 驱动等。

六、选型建议

在选型过程中，需要根据实际应用场景选择合适的参数。例如，如果需要高电流容量，可以选择 I_D 更高的器件；如果需要低功耗，可以选择 R_DS(on) 更低的器件。

七、使用注意事项

* 避免超过器件的最大工作电压。

* 确保器件的散热良好，避免温度过高导致器件失效。

* 使用时需注意器件的封装方向和引脚定义。

八、结论

CJBA3134K DFN1006-3L 是一款性能优异、应用广泛的 MOSFET 器件。其低导通电阻、高电流容量、高速开关速度和低功耗等特点，使其成为电源管理、电池充电、电机驱动等领域的理想选择。

九、技术支持

如需了解更多关于 CJBA3134K DFN1006-3L 的信息或技术支持，请联系长电/长晶 (JCET) 的技术支持团队。

十、参考文献

* CJBA3134K DFN1006-3L 数据手册

* 长电/长晶 (JCET) 网站

十一、其他

以上内容仅供参考，具体信息请以官方资料为准。

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