场效应管(MOSFET) CJBA7002K DFN1006-3L中文介绍，长电/长晶(JCET)

更新时间：2025-12-17

CJBA7002K DFN1006-3L 场效应管：长电/长晶 (JCET) 精品之选

CJBA7002K DFN1006-3L 是一款由长电/长晶 (JCET) 生产的 N 沟道增强型 MOSFET，采用 DFN1006-3L 封装。其独特的性能和可靠性使其成为各种电子应用的理想选择，特别是在小型化和高集成度的需求下。

# 一、产品概述

1.1 产品型号: CJBA7002K DFN1006-3L

1.2 生产厂家: 长电/长晶 (JCET)

1.3 产品类型: N 沟道增强型 MOSFET

1.4 封装形式: DFN1006-3L

1.5 主要应用:

* 消费类电子产品：智能手机、平板电脑、笔记本电脑等

* 工业控制：电机驱动、电源管理等

* 汽车电子：车载娱乐系统、车身控制等

* 医疗设备：便携式医疗仪器、可穿戴设备等

# 二、产品特性

2.1 低导通电阻: CJBA7002K 具有低导通电阻 (RDS(ON))，可实现更高的效率和更低的功耗，特别是在电源管理和电机驱动等应用中。

2.2 高开关速度: 该器件具有快速的开关速度，可实现更快的响应时间和更高的效率，适用于对快速响应有要求的应用。

2.3 低漏电流: CJBA7002K 具有低的漏电流，可以有效降低功耗，提高设备的续航能力。

2.4 低栅极电荷: 该器件具有低的栅极电荷，可以降低驱动功耗，提高效率。

2.5 优异的热稳定性: CJBA7002K 具有优异的热稳定性，可承受更高的工作温度，确保设备的稳定运行。

2.6 紧凑的封装: DFN1006-3L 封装尺寸小巧，可以有效节省电路板空间，适用于高集成度的电子产品设计。

# 三、产品参数

| 参数 | 典型值 | 单位 | 测试条件 |

|----------------|------------|-------|-------------|

| 导通电阻 (RDS(ON)) | 10 mΩ | Ω | VGS = 10V, ID = 2A |

| 栅极阈值电压 (VTH) | 2.0 V | V | ID = 1 mA |

| 最大漏极电流 (ID) | 2.5 A | A | VDS = 10V, TJ = 25℃ |

| 漏电流 (IDSS) | 100 nA | A | VDS = 10V, VGS = 0V |

| 最大工作电压 (VDS) | 30 V | V | TJ = 25℃ |

| 栅极-源极电压 (VGS) | ±20 V | V | TJ = 25℃ |

| 工作温度范围 | -55℃ ~ 150℃ | ℃ | - |

| 封装类型 | DFN1006-3L | - | - |

# 四、应用场景

4.1 消费类电子产品:

* 智能手机：电源管理、充电电路、无线充电等

* 平板电脑：电源管理、背光驱动等

* 笔记本电脑：电源管理、键盘背光等

4.2 工业控制:

* 电机驱动：电机控制、速度控制等

* 电源管理：电源转换、电压调节等

4.3 汽车电子:

* 车载娱乐系统：音频放大、功率放大等

* 车身控制：灯光控制、车窗控制等

4.4 医疗设备:

* 便携式医疗仪器：电池管理、电源管理等

* 可穿戴设备：心率监测、运动追踪等

# 五、产品优势

5.1 高性能: 低导通电阻、高开关速度、低漏电流等特性，为设备提供更高效率、更低功耗、更快的响应速度。

5.2 高可靠性: 长电/长晶 (JCET) 拥有成熟的生产工艺和严格的质量控制体系，确保产品的可靠性和稳定性。

5.3 高性价比: CJBA7002K DFN1006-3L 拥有高性能、高可靠性、高性价比的特点，是用户理想的选择。

5.4 广泛的应用领域: 该器件适用于各种电子应用，满足用户多元化的需求。

5.5 环保优势: DFN1006-3L 封装采用无铅工艺，符合环保要求。

# 六、总结

CJBA7002K DFN1006-3L 场效应管是长电/长晶 (JCET) 推出的一款高性能、高可靠性、高性价比的 MOSFET 产品。其独特的设计和优异的性能使其成为各种电子应用的理想选择，特别是在小型化和高集成度的需求下。该产品具有低导通电阻、高开关速度、低漏电流、低栅极电荷、优异的热稳定性、紧凑的封装等特点，并拥有广泛的应用领域。相信 CJBA7002K DFN1006-3L 会在未来电子设备的应用中发挥重要的作用。

场效应管(MOSFET) CJBA7002K DFN1006-3L中文介绍，长电/长晶(JCET)

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