长电/长晶(JCET)TVS二极管 CESD5V0D1 KE 5V SOD-123 单向参数资料

更新时间：2025-12-17

长电/长晶 (JCET) TVS 二极管 CESD5V0D1 KE 5V SOD-123 单向参数资料

一、概述

长电/长晶 (JCET) CESD5V0D1 KE 5V SOD-123 单向瞬态电压抑制二极管 (TVS) 是一款高性能器件，专门设计用于保护敏感电子器件免受瞬态电压的损坏。该器件采用 SOD-123 封装，提供 5V 的击穿电压，并具有出色的性能特点，使其成为各种应用中的理想选择。

二、主要参数

| 参数 | 规格 | 单位 |

| ------------------------------------------ | ------ | ---- |

| 击穿电压 (VBR) | 5.0 | V |

| 峰值脉冲功率 (PPW) | 500 | W |

| 反向泄漏电流 (IR) | 10 | μA |

| 钳位电压 (VC) | 8.5 | V |

| 响应时间 (tr) | 1.0 | ns |

| 电容 (C) | 1.0 | pF |

| 工作温度范围 (TO) | -55 | °C |

| 存储温度范围 (TS) | -65 | °C |

| 封装 | SOD-123 | |

| 额定电压 | 5V | |

| 方向 | 单向 | |

三、工作原理

TVS 二极管的工作原理是利用PN结的雪崩效应来吸收瞬态电压。当电压超过器件的击穿电压 (VBR) 时，PN结会进入雪崩状态，允许大量电流流过。这使得器件可以吸收瞬态能量并将其消散，从而保护连接器件免受损坏。

四、产品特点

* 高击穿电压： CESD5V0D1 KE 具有 5V 的击穿电压，可以有效地保护敏感器件免受高压瞬态的影响。

* 高脉冲功率： 500W 的峰值脉冲功率 (PPW) 使该器件能够吸收大量的瞬态能量，确保器件的安全。

* 快速响应时间： 1.0ns 的响应时间能够快速响应瞬态事件，提供有效的保护。

* 低反向泄漏电流： 10μA 的反向泄漏电流保证了器件在正常工作状态下的低功耗。

* 小体积： SOD-123 封装提供小巧的体积，方便用户在空间有限的应用中使用。

五、应用范围

* 电源保护： CESD5V0D1 KE 可以用于保护电源电路免受雷击、电涌和静电放电 (ESD) 等瞬态电压的影响。

* 信号线路保护：该器件可以用于保护敏感的信号线路，例如数据线、控制线和传感器线，防止瞬态电压损坏信号传输。

* 通信设备保护： CESD5V0D1 KE 可用于保护通信设备，例如手机、路由器、交换机和无线基站，免受瞬态电压的干扰和损坏。

* 工业控制系统保护：该器件可以用于保护工业控制系统中的电子元件，例如PLC、传感器和执行器，使其不受瞬态电压的影响。

* 汽车电子保护： CESD5V0D1 KE 可以用于保护汽车电子系统，例如车身控制单元 (BCM)、动力总成控制单元 (PCM) 和娱乐系统，免受电磁干扰 (EMI) 和电涌的影响。

六、使用方法

CESD5V0D1 KE 的使用方法非常简单，通常将其连接在需要保护的电路的输入端或输出端。在选择合适的器件时，需要考虑击穿电压 (VBR)、峰值脉冲功率 (PPW) 和响应时间 (tr) 等参数，以确保其能够满足应用需求。

七、注意事项

* 电压选择：应选择击穿电压 (VBR) 稍高于预期最大工作电压的 TVS 二极管。

* 封装选择：选择合适的封装尺寸，以确保其与电路板布局兼容。

* 安装方式：应按照产品说明书的要求进行安装，确保良好的散热性能。

* 安全操作：操作 TVS 二极管时应注意安全，避免触碰高压端，并避免高温环境。

八、总结

长电/长晶 (JCET) CESD5V0D1 KE 5V SOD-123 单向瞬态电压抑制二极管是一款性能优异、可靠性高的产品，能够有效保护敏感电子器件免受瞬态电压的损坏。其高击穿电压、高脉冲功率、快速响应时间和低反向泄漏电流使其成为各种应用中的理想选择。通过正确选择和使用该器件，可以有效地提高电子系统的可靠性和稳定性。

九、相关资料

* JCET 官方网站: [www.jcet.com]()

* CESD5V0D1 KE 数据手册: [数据手册链接](/)

十、关键词

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