场效应管(MOSFET) BSS84WAHZGT106 SOT-323中文介绍，罗姆(ROHM)

ROHM BSS84WAHZGT106 SOT-323 场效应管科学分析

一、产品概述

BSS84WAHZGT106 是一款由 ROHM 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET，采用 SOT-323 封装。该器件专为低压应用而设计，具有低导通电阻、高开关速度和低功耗等特点，广泛应用于消费类电子、工业控制、汽车电子等领域。

二、产品参数

| 参数 | 符号 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

|-------------------|-------|---------|--------|------|

| 漏极-源极电压 | V_DSS | ±30 | ±40 | V |

| 栅极-源极电压 | V_GS | ±20 | ±30 | V |

| 漏极电流 | I_D | 100 | 150 | mA |

| 导通电阻 | R_DS(on) | 12 | 35 | mΩ |

| 栅极电荷 | Q_g | 20 | 40 | nC |

| 输入电容 | C_iss | 6 | 12 | pF |

| 输出电容 | C_oss | 6 | 12 | pF |

| 反向转移电容 | C_rss | 2 | 4 | pF |

| 工作温度 | T_j | -55 | 150 | ℃ |

三、产品特性分析

1. 低导通电阻： BSS84WAHZGT106 的典型导通电阻为 12 mΩ，最大值为 35 mΩ。这使得该器件在导通状态下能够实现低功耗和高效率的电流传输，特别适用于需要低压驱动且电流较小的应用场景。

2. 高开关速度： MOSFET 的开关速度主要由栅极电荷 Q_g 决定。BSS84WAHZGT106 拥有较低的栅极电荷（20 nC 典型值），能够快速响应开关信号，实现快速开启和关闭。

3. 低功耗：该器件在关闭状态下具有极低的漏极电流，可以有效减少功耗损耗，延长设备续航时间。

4. 紧凑封装： SOT-323 封装尺寸小巧，易于安装，适合空间有限的电子设备使用。

四、应用领域

BSS84WAHZGT106 凭借其低导通电阻、高开关速度和低功耗等特点，广泛应用于以下领域：

* 消费类电子：手机、平板电脑、笔记本电脑、数码相机、音频设备等。

* 工业控制：伺服电机、步进电机、传感器、电源管理等。

* 汽车电子：汽车音响、车身控制、仪表盘等。

* 其他领域：照明控制、医疗设备、玩具等。

五、工作原理

BSS84WAHZGT106 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，其工作原理基于场效应控制原理。

1. 结构：器件内部包含一个 N 型硅基底，在其表面形成一个绝缘层（氧化层），并通过工艺形成一个金属栅极。在基底和栅极之间形成一个导电通道，称为沟道。

2. 工作过程：当栅极电压为零或负电压时，沟道处于关闭状态，漏极电流无法通过。当栅极电压升高至一定阈值电压时，沟道开始形成，电流可以通过漏极和源极之间流动。栅极电压越高，沟道阻抗越低，漏极电流越大。

3. 特点：与双极结型晶体管（BJT）相比，MOSFET 具有以下特点：

* 高输入阻抗：栅极与基极之间为绝缘层，因此输入阻抗很高，几乎不消耗电流。

* 低功耗：在关闭状态下，MOSFET 几乎没有功耗。

* 高开关速度：MOSFET 的开关速度比 BJT 快得多。

* 承受电压范围广：MOSFET 可以承受较高的电压，应用范围更广。

六、注意事项

* 为了保证器件正常工作，需要严格控制栅极电压，防止栅极电压过高或过低。

* 使用时需要注意器件的散热问题，避免器件过热而损坏。

* 在进行焊接操作时，需要采用合适的温度和时间，防止器件损坏。

七、总结

ROHM BSS84WAHZGT106 是一款性能优异的 N 沟道增强型 MOSFET，具有低导通电阻、高开关速度、低功耗和紧凑封装等优点，能够满足各种低压应用需求。其广泛的应用领域，使其成为电子产品设计中不可或缺的器件之一。

八、参考文献

* ROHM BSS84WAHZGT106 Datasheet

* MOSFET 工作原理

* 电子产品设计常用元器件介绍

推荐阅读