场效应管(MOSFET) HP8K24TB HSOP-8中文介绍，罗姆(ROHM)

场效应管（MOSFET）HP8K24TB HSOP-8 中文介绍：罗姆 (ROHM)

概述

HP8K24TB 是一款由罗姆 (ROHM) 生产的 N 沟道增强型 MOSFET，封装形式为 HSOP-8。它是一款高性能、低功耗器件，适用于各种应用，包括电源管理、电机控制、LED 照明和信号放大等。

产品特点

* 低导通电阻 (RDS(ON))： HP8K24TB 的典型导通电阻仅为 24 mΩ，这使得它能够有效地将电流从源极传输到漏极，并减少功耗。

* 高耐压：该器件具有 80 V 的最大耐压，能够承受高电压工作环境。

* 高电流容量：最大电流容量为 12 A，能够处理高电流应用。

* 快速开关速度： HP8K24TB 具有快速的开关速度，能够快速响应信号变化，并有效地控制电流。

* 紧凑封装： HSOP-8 封装节省了电路板空间，并方便了安装。

* 低功耗：由于低导通电阻和高效的开关速度，该器件具有低功耗特性。

* 可靠性：罗姆 (ROHM) 采用先进的制造工艺，确保器件具有高可靠性和稳定性。

工作原理

HP8K24TB 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，它的工作原理基于电场控制电流流动。该器件包含一个 N 型硅基片，其表面形成一个氧化层，氧化层上面覆盖着金属栅极。在栅极和基片之间施加电压时，就会在基片中形成一个电场，改变其电导率。

当栅极电压为零时，该器件处于截止状态，即电流无法从源极流向漏极。当栅极电压升高时，电场会吸引自由电子向基片表面移动，形成一个导电通道，电流可以从源极流向漏极。

应用

HP8K24TB 的性能特点使其适用于各种应用，包括：

* 电源管理：用于转换、调节和控制电源电压。

* 电机控制：用于控制直流电机和步进电机。

* LED 照明：用于控制 LED 灯的亮度和开关。

* 信号放大：用于放大音频和视频信号。

* 电池充电器：用于控制电池充电电流。

* 数据采集系统：用于开关和控制各种传感器。

技术参数

| 参数 | 数值 | 单位 |

|--------------|------|------|

| 导通电阻 | 24 | mΩ |

| 耐压 | 80 | V |

| 最大电流 | 12 | A |

| 栅极电压 | ±20 | V |

| 封装 | HSOP-8 | |

| 工作温度范围 | -55 | ℃ |

| 存储温度范围 | -65 | ℃ |

封装尺寸

HSOP-8 封装尺寸为 4.4 mm x 3.0 mm x 1.0 mm。

优势

HP8K24TB 具有以下优势：

* 高性能：低导通电阻、高电流容量和快速开关速度。

* 低功耗：有效地减少功耗损失。

* 可靠性：采用先进的制造工艺，确保器件具有高可靠性和稳定性。

* 紧凑封装：节省电路板空间，方便安装。

* 广泛应用：适用于各种应用场景。

总结

HP8K24TB 是一款高性能、低功耗的 N 沟道增强型 MOSFET，适用于各种应用，包括电源管理、电机控制、LED 照明和信号放大等。它具有低导通电阻、高耐压、高电流容量、快速开关速度、紧凑封装、低功耗和高可靠性等特点，使其成为各种应用场景的理想选择。

建议

在使用 HP8K24TB 时，需要注意以下几点：

* 仔细阅读器件的规格书，并严格按照规格书要求使用。

* 选择合适的散热器，确保器件能够正常工作。

* 在高电流应用中，需要考虑器件的电流容量和散热问题。

* 在使用该器件时，需要注意静电放电 (ESD) 问题。

参考资料

* 罗姆 (ROHM) 官方网站

* HP8K24TB 规格书

注意

以上内容仅供参考，实际使用过程中请以实际产品规格书为准。

场效应管(MOSFET) HP8K24TB HSOP-8中文介绍，罗姆(ROHM)

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