场效应管(MOSFET) RSE002P03TL SOT-23-3中文介绍，罗姆(ROHM)

更新时间：2025-12-17

罗姆RSE002P03TL SOT-23-3场效应管详细介绍

一、产品概述

RSE002P03TL 是一款由罗姆半导体公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET，采用 SOT-23-3 封装。该器件具有低导通电阻 (RDS(ON))、高电流容量和低功耗的特点，适用于各种应用，包括：

* 电源管理: 作为开关稳压器、电池充电器、LED 驱动器中的开关元件。

* 电机控制: 作为直流电机和步进电机控制电路中的驱动器。

* 信号放大: 作为放大器和缓冲器。

* 其他: 包括数据采集、无线通信等。

二、产品特性

* 低导通电阻: RSE002P03TL 具有低导通电阻 (RDS(ON))，可有效降低导通损耗，提高效率。

* 高电流容量: 器件能够承受高电流，适用于需要大电流输出的应用。

* 低功耗: MOSFET 的功耗较低，能够延长电池续航时间。

* 耐压: RSE002P03TL 具有较高的耐压能力，可以承受高压工作环境。

* SOT-23-3 封装: 小巧的封装尺寸，节省电路板空间，方便使用。

三、技术指标

| 特性 | 参数 | 单位 |

|---|---|---|

| 漏源电压 (VDSS) | 30 | V |

| 漏极电流 (ID) | 200 | mA |

| 导通电阻 (RDS(ON)) | 2.5 | Ω |

| 栅极阈值电压 (VGS(th)) | 1.5 | V |

| 输入电容 (Ciss) | 30 | pF |

| 输出电容 (Coss) | 10 | pF |

| 反向传输电容 (Crss) | 1 | pF |

| 工作温度范围 | -55°C~+150°C | °C |

| 封装 | SOT-23-3 | |

四、结构原理

RSE002P03TL 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，其结构原理如下：

1. 沟道: 在 MOSFET 器件的硅衬底上，蚀刻出沟道，形成导电通道。

2. 源极和漏极: 沟道两端分别连接源极和漏极，用于电流流入和流出。

3. 栅极: 栅极是位于沟道上方的绝缘层上，通过控制栅极电压来控制沟道电流。

4. 氧化层: 栅极与沟道之间有一层氧化层，起到绝缘作用，防止电流泄漏。

当栅极电压高于阈值电压时，沟道中形成电子积累，形成导电通道，电流可以从源极流到漏极。当栅极电压低于阈值电压时，沟道中没有电子积累，没有导电通道，电流无法通过。

五、应用电路

RSE002P03TL 可以用于各种应用电路中，例如：

* 开关稳压器: 作为开关稳压器中的开关元件，控制输出电压。

* 电池充电器: 作为电池充电器中的开关元件，控制充电电流。

* LED 驱动器: 作为 LED 驱动器中的开关元件，控制 LED 的亮度。

* 电机控制: 作为直流电机和步进电机控制电路中的驱动器，控制电机转速和方向。

* 信号放大: 作为放大器和缓冲器，放大信号并提高信号质量。

六、使用注意事项

* 使用 RSE002P03TL 时，需要确保栅极电压不超过器件的额定值。

* 需要注意散热问题，避免器件过热。

* 使用过程中，避免器件受到静电损坏。

七、封装形式

RSE002P03TL 采用 SOT-23-3 封装，是一种小巧的三引脚封装，节省电路板空间。

八、总结

RSE002P03TL 是一款性能优良的 N 沟道增强型 MOSFET，具有低导通电阻、高电流容量和低功耗等优点，适用于各种应用。在使用过程中，需要根据具体应用选择合适的驱动电路和散热措施，并注意静电防护。

九、关键词

MOSFET, RSE002P03TL, 罗姆, SOT-23-3, 低导通电阻, 高电流容量, 低功耗, 电源管理, 电机控制, 信号放大

场效应管(MOSFET) RSE002P03TL SOT-23-3中文介绍，罗姆(ROHM)

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