场效应管(MOSFET) RS6R060BHTB1 HSOP-8中文介绍，罗姆(ROHM)

更新时间：2025-12-16

罗姆 RS6R060BHTB1 HSOP-8 场效应管：高性能、低功耗的理想选择

产品概述

RS6R060BHTB1 是一款由罗姆半导体制造的 N 沟道增强型 MOSFET，采用 HSOP-8 封装，具有高性能和低功耗的特点。这款器件主要应用于电源管理、电机驱动、信号切换等领域，广泛应用于汽车电子、工业自动化、消费电子等行业。

产品特点

* 高性能：拥有低导通电阻 (RDS(on))，可实现高效的功率转换和电流驱动。

* 低功耗：具有低栅极电荷 (Qg)，快速开关速度，有效降低功耗。

* 高可靠性：经过严格的测试和筛选，确保可靠性和稳定性。

* 紧凑型封装： HSOP-8 封装设计，节省电路板空间。

* 宽工作温度范围： -55℃ 至 +150℃ 的工作温度范围，适应各种环境。

* 符合汽车级标准：符合 AEC-Q101 标准，适用于汽车电子应用。

产品参数

| 参数 | 规格 | 单位 |

|---|---|---|

| 漏极-源极电压 (VDSS) | 60V | V |

| 漏极电流 (ID) | 6A | A |

| 导通电阻 (RDS(on)) | 60mΩ (典型值) | Ω |

| 栅极电荷 (Qg) | 20nC | nC |

| 输入电容 (Ciss) | 300pF | pF |

| 反向传输电容 (Crss) | 40pF | pF |

| 工作温度范围 | -55℃ 至 +150℃ | ℃ |

| 封装 | HSOP-8 | - |

工作原理

场效应管 (MOSFET) 是一种电压控制型器件，利用栅极电压控制漏极电流的大小。RS6R060BHTB1 为 N 沟道增强型 MOSFET，其结构由一个 N 型硅基底、两个 P 型扩散层和一个金属栅极组成。当栅极电压为 0V 时，漏极电流为 0A，器件处于截止状态。当栅极电压逐渐升高，P 型扩散层中的空穴被吸引到栅极下方，形成一个导电通道，漏极电流逐渐增大。当栅极电压达到一定值时，器件完全导通，漏极电流达到最大值。

应用领域

1. 电源管理

* DC-DC 转换器：在 DC-DC 转换器中作为开关器件，实现电压转换和调节。

* 电池管理系统 (BMS)：用于控制电池充电和放电，以及监控电池状态。

* 电源适配器：作为电源开关器件，提高电源转换效率。

2. 电机驱动

* 电机控制：用于控制电机转速和方向，应用于各种电机驱动系统。

* 电源驱动：为电机提供必要的电流，提高驱动效率。

* 伺服系统：作为伺服系统中的关键器件，实现精准控制。

3. 信号切换

* 信号隔离：用于隔离不同电压等级的信号，避免干扰。

* 信号放大：提高信号强度，实现信号传输。

* 信号切换：在不同的信号路径之间进行切换。

优势分析

1. 高性能： RS6R060BHTB1 的低导通电阻 (RDS(on)) 使得器件能够有效地减少功率损耗，提高效率。

2. 低功耗：低栅极电荷 (Qg) 和快速开关速度，有效降低了器件的功耗，延长设备续航时间。

3. 高可靠性：经过严格的测试和筛选，确保器件在各种环境下都能可靠运行。

4. 紧凑型封装： HSOP-8 封装设计，节省电路板空间，提高电路板的集成度。

5. 广泛的应用： RS6R060BHTB1 适用于各种应用，包括电源管理、电机驱动、信号切换等。

总结

RS6R060BHTB1 是一款高性能、低功耗的 N 沟道增强型 MOSFET，具有高可靠性和紧凑型封装。它在电源管理、电机驱动、信号切换等领域具有广泛的应用，是各种电子设备的理想选择。

参考资料

* 罗姆半导体官网：/

* 产品数据手册：/

免责声明：以上信息仅供参考，具体参数请以产品数据手册为准。

场效应管(MOSFET) RS6R060BHTB1 HSOP-8中文介绍，罗姆(ROHM)

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