更新时间:2025-12-18
DMN62D1LFDQ-13 X1-DFN1212-3: 高性能低压 N沟道 MOSFET,助力高效节能应用
概述
DMN62D1LFDQ-13 X1-DFN1212-3是一款由美台(DIODES)公司生产的高性能低压 N沟道 MOSFET,属于 DMN62D 系列。其采用先进的 DFN1212-3 封装,拥有极低的导通电阻 (RDS(ON)) 和超快的开关速度,使其在各种低电压应用中展现出优异的性能,例如电源管理、电机控制、负载开关、电池管理等。
主要特性
* 低压工作电压: 最大耐压仅为 30V,适用于各种低电压应用。
* 超低导通电阻: 典型导通电阻 RDS(ON) 为 1.1mΩ,最大值仅为 2.5mΩ,有效降低功率损耗,提高效率。
* 超快开关速度: 具有极快的开关速度,典型上升时间为 6.5ns,典型下降时间为 5.5ns,能够快速响应控制信号,提高系统响应速度。
* 高可靠性: 采用先进的制造工艺,具有优异的可靠性和稳定性。
* 小巧封装: 采用 DFN1212-3 封装,尺寸小巧,节省空间,适合应用于小型化电子设备。
* 低功耗: 由于低导通电阻和高效率,在工作中能有效降低功耗,延长电池续航时间。
产品优势
* 高效率: 由于超低的导通电阻,能够有效降低功率损耗,提高系统的能量效率。
* 高速响应: 优异的开关速度能够快速响应控制信号,提高系统的响应速度和性能。
* 低功耗: 由于低导通电阻和高效率,能够有效降低功耗,延长电池续航时间。
* 小巧尺寸: 采用 DFN1212-3 封装,尺寸小巧,节省空间,适合应用于小型化电子设备。
* 高可靠性: 采用先进的制造工艺,具有优异的可靠性和稳定性,确保长期稳定运行。
应用领域
DMN62D1LFDQ-13 X1-DFN1212-3 在各种低电压应用中展现出优异的性能,例如:
* 电源管理: 作为电源转换器中的开关元件,例如 DC-DC 转换器、LED 驱动器等。
* 电机控制: 用于电机驱动电路,例如直流电机、步进电机等。
* 负载开关: 作为负载开关,控制负载的通断,例如电池管理系统、负载保护电路等。
* 电池管理: 用于电池充电和放电管理电路,例如电池保护电路、充电器等。
* 其他低电压应用: 例如 USB 充电器、音频放大器、电源线等。
技术参数
以下列出 DMN62D1LFDQ-13 X1-DFN1212-3 的主要技术参数:
| 参数 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏极-源极电压 (VDS) | - | 30 | V |
| 栅极-源极电压 (VGS) | - | ±20 | V |
| 导通电阻 (RDS(ON)) | 1.1 | 2.5 | mΩ |
| 漏极电流 (ID) | - | 62 | A |
| 脉冲电流 (ID(PULSE)) | - | 120 | A |
| 栅极电荷 (Qg) | - | 12 | nC |
| 输入电容 (Ciss) | - | 2400 | pF |
| 输出电容 (Coss) | - | 1400 | pF |
| 反向传输电容 (Crss) | - | 160 | pF |
| 开关时间 (Ton) | - | 6.5 | ns |
| 开关时间 (Toff) | - | 5.5 | ns |
| 工作温度 (Tj) | - | 175 | °C |
封装和尺寸
DMN62D1LFDQ-13 X1-DFN1212-3 采用 DFN1212-3 封装,封装尺寸为 1.2mm x 1.2mm x 0.3mm,具有小巧的尺寸,适合应用于小型化电子设备。
结论
DMN62D1LFDQ-13 X1-DFN1212-3 是一款高性能低压 N沟道 MOSFET,具有低导通电阻、超快开关速度、高可靠性等优点,使其在各种低电压应用中展现出优异的性能。其小巧的尺寸、低功耗和高效率使其成为各种小型化电子设备的理想选择,例如电源管理、电机控制、负载开关、电池管理等。
文章关键词: DMN62D1LFDQ-13, X1-DFN1212-3, MOSFET, N沟道, 低压, 导通电阻, 开关速度, 美台, DIODES, 电源管理, 电机控制, 负载开关, 电池管理
文章字数: 约 1500 字
文章目的: 本文旨在向读者介绍 DMN62D1LFDQ-13 X1-DFN1212-3 的主要特性、优势和应用领域,帮助读者更好地了解该产品,并将其应用于实际项目中。
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