场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种重要的半导体器件，广泛应用于电子电路中。主要的场效应管参数包括：

1. 栅极阈值电压（Gate Threshold Voltage，Vth）：当栅极电压达到或超过此阈值电压时，场效应管开始导通。阈值电压是决定FET导通或截止的重要参数。

2. 最大漏极-源极电压（Maximum Drain-Source Voltage，Vdsmax）：FET能够承受的最大漏极-源极电压。超过这个电压可能导致器件损坏。

3. 最大漏极电流（Maximum Drain Current，Idmax）：FET能够承受的最大漏极电流。超过这个电流可能导致器件损坏。

4. 最大功率耗散（Maximum Power Dissipation，Pdmax）：FET在特定环境条件下能够耗散的最大功率，用于限制器件工作时的功率损耗。

5. 漏极-源极饱和电压（Drain-Source Saturation Voltage，Vds(sat)）：当FET导通时，漏极-源极之间的电压降。

6. 开态电导（Transconductance，gm）：栅极电压变化导致的漏极电流变化的比率。它是FET放大器的关键参数。

7. 输入电容（Input Capacitance，Ciss）：FET输入端的电容，它是栅极和源极之间的电容。

8. 输出电容（Output Capacitance，Coss）：FET输出端的电容，它是漏极和源极之间的电容。

这些参数对于正确设计和应用场效应管的电路至关重要。不同类型的场效应管（如MOSFET和JFET）可能会有略微不同的参数规格，因此在使用特定型号的场效应管时，应仔细查阅其数据手册以获取准确的参数值。