控制末端电路是指使用半导体器件来控制电路的开关或放大功能，其中包括三极管（双极型晶体管，BJT）和MOS管（金属氧化物半导体场效应管，Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）两种主要类型。这两种器件在电子领域中被广泛用于放大、开关和控制电路。

三极管（BJT）原理：

三极管是一种双极型晶体管，有NPN和PNP两种类型。以下是NPN型三极管的工作原理，PNP型类似，只是电荷载体类型相反。

1. 发射极-基极结（E-B结）： 发射极接在N型半导体上，基极连接在P型半导体上。当在基极电流存在时，电子从发射极注入到基区，形成电子多数载流子。这个过程控制了电流的流动。

2. 集电极-基极结（C-B结）： 集电极连接在N型半导体上，基极连接在P型半导体上。集电极从基区吸引电子流，并将电流收集到输出电路。

3. 工作原理： 当在基极电流存在时，发射极-基极结注入电子到基区。这些电子从基区流向集电极，形成集电极电流（Ic）。由于三极管具有放大作用，很小的基极电流可以控制较大的集电极电流。

MOS管（场效应管）原理：

MOS管有两种主要类型：N沟道型（N-channel）和P沟道型（P-channel）。以下是N沟道MOS管的工作原理，P沟道MOS管类似，只是电荷载体类型相反。

1. 基本结构： MOS管由金属栅极、氧化物绝缘层和半导体通道构成。当施加栅极电压时，可以控制绝缘层下半导体通道的电导性。

2. 工作原理： 在N沟道MOS管中，当施加正栅极电压时，在绝缘层下形成一个N型通道。当栅极电压变化时，通道电阻也会相应变化，从而控制电流流动。通过改变栅极电压，可以实现开关和控制功能。

MOS管具有高输入电阻、低功耗和快速开关特性，因此在数字电路中被广泛使用。它们可以用于构建逻辑门、存储器单元和微处理器。

综上所述，三极管和MOS管都是控制末端电路的关键元件，它们根据不同的工作原理在电子设备中起着关键作用。