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肖特基接触和欧姆接触的区别包括哪些?

 

更新时间:2025-12-04 09:52:01

晨欣小编

肖特基接触(Schottky contact)欧姆接触(Ohmic contact) 的区别,这两者都是金属与半导体接触时可能形成的接口类型,但物理特性、应用和形成条件都不同。我来详细梳理一下:


1. 定义区别

类型定义
肖特基接触金属与半导体接触形成的势垒较高(Schottky barrier),表现为单向导电特性,即在正向偏置时导通,反向偏置时阻止电流流动,类似二极管。
欧姆接触金属与半导体接触后几乎不形成势垒,电流随电压呈线性关系,导电性良好,无方向性限制。

2. 电流-电压特性(I-V特性)

  • 肖特基接触:呈 非线性单向导电

    • 正向:电流随电压指数增长

    • 反向:电流非常小(漏电流)

    • 类似二极管特性

  • 欧姆接触:呈 线性双向导电

    • 电流与电压呈正比(I = V/R),无整流效应


3. 形成条件

类型条件
肖特基接触金属功函数与半导体的导带/价带能级匹配不理想,产生势垒(n型半导体金属功函数较高,p型半导体金属功函数较低)。
欧姆接触- 金属功函数与半导体匹配较好,形成低势垒或无势垒
  • 可通过高掺杂半导体、退火或薄金属层实现“穿隧”效应,降低接触电阻 |


4. 接触电阻

  • 肖特基接触:接触电阻较高,尤其在反向偏置时几乎阻断电流。

  • 欧姆接触:接触电阻极低,可忽略不计,保证电流稳定流通。


5. 主要用途

类型主要应用
肖特基接触高速整流器、功率二极管、光电探测器、射频电路中二极管应用
欧姆接触半导体器件(MOSFET、BJT)引线、电流引入点,保证线性导电

6. 总结对比

特性肖特基接触欧姆接触
I-V 特性非线性单向导电线性双向导电
接触电阻高(特别是反向偏置)
功能整流、单向导电电流引入、低阻导通
形成条件金属-半导体功函数不匹配金属-半导体匹配或高掺杂半导体/退火处理
应用场景快速二极管、功率二极管MOSFET源漏极、BJT发射极/集电极引出


 

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