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二极管的伏安特性曲线的特征及原理

 

更新时间:2026-02-05 14:23:05

晨欣小编

一、引言

二极管是最基本、最常用的半导体器件之一,在整流、电源保护、信号处理、稳压和开关电路中都有广泛应用。理解二极管的伏安特性曲线(I-V 特性曲线),是掌握其工作原理和正确选型、应用的基础。

伏安特性曲线描述了二极管两端电压与流过电流之间的关系,通过该曲线,可以直观地看出二极管在不同工作状态下的电气行为。


二、二极管伏安特性曲线的基本概念

二极管的伏安特性曲线以:

  • 横轴:电压 V

  • 纵轴:电流 I

构成坐标系,反映二极管在正向和反向偏置条件下的工作特性。

根据工作状态不同,曲线主要分为三个区域:

  1. 正向导通区

  2. 反向截止区

  3. 反向击穿区

这三个区域共同构成了二极管完整的伏安特性。


三、正向导通特性

1. 正向偏置状态

当二极管阳极接正极、阴极接负极时,二极管处于正向偏置状态。此时 PN 结势垒电压被削弱,载流子开始大量扩散,形成导通电流。

2. 导通电压特性

二极管并非一加电压就导通,而是存在一个“开启电压”:

材料类型典型导通电压
硅管0.6V~0.7V
锗管0.2V~0.3V
肖特基管0.2V~0.4V

当正向电压低于该值时,电流很小;超过该值后,电流迅速增大。

3. 指数增长特性

在正向导通区内,二极管电流与电压呈指数关系:

I ≈ Is(e^(V/ηVT) − 1)

这意味着:

  • 电压略微增加

  • 电流会急剧上升

因此,二极管正向工作时必须串联限流电阻,否则容易因过流损坏。

4. 动态电阻特性

在导通区内,二极管等效为一个小电阻,称为动态电阻:

rd = ΔV / ΔI

该电阻随工作点变化而变化,是模拟电路分析的重要参数。


四、反向截止特性

1. 反向偏置状态

当二极管阴极接正极、阳极接负极时,处于反向偏置状态。

此时:

  • PN 结势垒加宽

  • 多数载流子难以通过

  • 二极管近似截止

2. 反向漏电流

虽然理论上不导通,但实际中仍存在极小电流,称为反向漏电流 IR。

其特点:

  • 数值微小(nA~μA 级)

  • 随温度升高而明显增大

  • 与材料和工艺密切相关

在高精度测量、电池供电系统中,漏电流会对系统功耗产生影响。


五、反向击穿特性

1. 击穿现象

当反向电压继续增大,超过某一临界值时,PN 结会发生击穿现象,电流急剧上升,该电压称为击穿电压 VBR。

此时曲线表现为“陡直上升”。

2. 击穿类型

主要包括两种机制:

(1)齐纳击穿(<5V)

  • 由强电场引起隧穿效应

  • 适用于低压稳压管

(2)雪崩击穿(>5V)

  • 由载流子碰撞电离引起

  • 常见于普通二极管

3. 工程意义

普通整流二极管若进入击穿区,容易因功耗过大而损坏;
而稳压二极管则正是利用该区域实现稳压功能。


六、伏安特性曲线的非理想因素

实际二极管的伏安特性并非完全理想,还受到多种因素影响。

1. 温度影响

温度升高时:

  • 正向压降下降(约 -2mV/℃)

  • 漏电流增大

  • 击穿电压变化

因此高温环境下需要特别注意热设计。

2. 串联电阻影响

内部引线、电极、电阻都会形成串联电阻 Rs,使高电流时曲线变缓。

表现为:

电流大时,压降明显增大。

3. 老化与工艺差异

不同厂家、不同批次的二极管,其伏安特性存在一定离散性,在精密应用中需考虑参数裕量。


七、伏安特性曲线的工程应用价值

1. 整流电路设计

通过伏安特性可计算:

  • 整流压降损耗

  • 发热功率

  • 整流效率

2. 限幅与钳位电路

利用导通阈值特性,实现电压保护和信号限幅。

3. 稳压电路设计

通过击穿区特性设计稳压电源。

4. 开关电路分析

在高速开关中,伏安特性影响:

  • 开关损耗

  • 反向恢复特性

  • EMC 性能


八、典型伏安特性总结

区域电压状态电流特性工程意义
正向导通区V>Vf电流指数上升导通、整流
反向截止区V<0微小漏电流隔离
击穿区V<-VBR电流剧增保护、稳压

九、结论

二极管的伏安特性曲线集中体现了其最核心的电气特性:

  • 正向导通具有阈值性和指数性

  • 反向截止具有高阻隔离特性

  • 击穿区体现极限工作能力

深入理解这些特性,有助于工程师合理选型、优化电路设计、提升系统可靠性。

在实际应用中,应结合工作电流、电压、温度及安全裕量,综合分析伏安特性参数,才能充分发挥二极管的性能优势。


 

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