二极管的伏安特性曲线的特征及原理
更新时间:2026-02-05 14:23:05
晨欣小编

一、引言
二极管是最基本、最常用的半导体器件之一,在整流、电源保护、信号处理、稳压和开关电路中都有广泛应用。理解二极管的伏安特性曲线(I-V 特性曲线),是掌握其工作原理和正确选型、应用的基础。
伏安特性曲线描述了二极管两端电压与流过电流之间的关系,通过该曲线,可以直观地看出二极管在不同工作状态下的电气行为。
二、二极管伏安特性曲线的基本概念
二极管的伏安特性曲线以:
横轴:电压 V
纵轴:电流 I
构成坐标系,反映二极管在正向和反向偏置条件下的工作特性。
根据工作状态不同,曲线主要分为三个区域:
正向导通区
反向截止区
反向击穿区
这三个区域共同构成了二极管完整的伏安特性。
三、正向导通特性
1. 正向偏置状态
当二极管阳极接正极、阴极接负极时,二极管处于正向偏置状态。此时 PN 结势垒电压被削弱,载流子开始大量扩散,形成导通电流。
2. 导通电压特性
二极管并非一加电压就导通,而是存在一个“开启电压”:
| 材料类型 | 典型导通电压 |
|---|---|
| 硅管 | 0.6V~0.7V |
| 锗管 | 0.2V~0.3V |
| 肖特基管 | 0.2V~0.4V |
当正向电压低于该值时,电流很小;超过该值后,电流迅速增大。
3. 指数增长特性
在正向导通区内,二极管电流与电压呈指数关系:
I ≈ Is(e^(V/ηVT) − 1)
这意味着:
电压略微增加
电流会急剧上升
因此,二极管正向工作时必须串联限流电阻,否则容易因过流损坏。
4. 动态电阻特性
在导通区内,二极管等效为一个小电阻,称为动态电阻:
rd = ΔV / ΔI
该电阻随工作点变化而变化,是模拟电路分析的重要参数。
四、反向截止特性
1. 反向偏置状态
当二极管阴极接正极、阳极接负极时,处于反向偏置状态。
此时:
PN 结势垒加宽
多数载流子难以通过
二极管近似截止
2. 反向漏电流
虽然理论上不导通,但实际中仍存在极小电流,称为反向漏电流 IR。
其特点:
数值微小(nA~μA 级)
随温度升高而明显增大
与材料和工艺密切相关
在高精度测量、电池供电系统中,漏电流会对系统功耗产生影响。
五、反向击穿特性
1. 击穿现象
当反向电压继续增大,超过某一临界值时,PN 结会发生击穿现象,电流急剧上升,该电压称为击穿电压 VBR。
此时曲线表现为“陡直上升”。
2. 击穿类型
主要包括两种机制:
(1)齐纳击穿(<5V)
由强电场引起隧穿效应
适用于低压稳压管
(2)雪崩击穿(>5V)
由载流子碰撞电离引起
常见于普通二极管
3. 工程意义
普通整流二极管若进入击穿区,容易因功耗过大而损坏;
而稳压二极管则正是利用该区域实现稳压功能。
六、伏安特性曲线的非理想因素
实际二极管的伏安特性并非完全理想,还受到多种因素影响。
1. 温度影响
温度升高时:
正向压降下降(约 -2mV/℃)
漏电流增大
击穿电压变化
因此高温环境下需要特别注意热设计。
2. 串联电阻影响
内部引线、电极、电阻都会形成串联电阻 Rs,使高电流时曲线变缓。
表现为:
电流大时,压降明显增大。
3. 老化与工艺差异
不同厂家、不同批次的二极管,其伏安特性存在一定离散性,在精密应用中需考虑参数裕量。
七、伏安特性曲线的工程应用价值
1. 整流电路设计
通过伏安特性可计算:
整流压降损耗
发热功率
整流效率
2. 限幅与钳位电路
利用导通阈值特性,实现电压保护和信号限幅。
3. 稳压电路设计
通过击穿区特性设计稳压电源。
4. 开关电路分析
在高速开关中,伏安特性影响:
开关损耗
反向恢复特性
EMC 性能
八、典型伏安特性总结
| 区域 | 电压状态 | 电流特性 | 工程意义 |
|---|---|---|---|
| 正向导通区 | V>Vf | 电流指数上升 | 导通、整流 |
| 反向截止区 | V<0 | 微小漏电流 | 隔离 |
| 击穿区 | V<-VBR | 电流剧增 | 保护、稳压 |
九、结论
二极管的伏安特性曲线集中体现了其最核心的电气特性:
正向导通具有阈值性和指数性
反向截止具有高阻隔离特性
击穿区体现极限工作能力
深入理解这些特性,有助于工程师合理选型、优化电路设计、提升系统可靠性。
在实际应用中,应结合工作电流、电压、温度及安全裕量,综合分析伏安特性参数,才能充分发挥二极管的性能优势。


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