P沟道结型场效应管（P-channel JFET，也称为P-JFET）是一种半导体器件，具有特定的特性参数，用于电路中的放大、开关和其他应用。以下是P沟道结型场效应管的主要特性参数：

1. 截止电压（VGS(off))： 这是P-JFET关闭时的栅源电压。在截止状态下，P-JFET中的电流非常小。当栅源电压低于截止电压时，P-JFET不导通。

2. 饱和电压（VGS(on))： 这是P-JFET导通时的栅源电压。当栅源电压高于饱和电压时，P-JFET开始导通，电流从源极到漏极流动。

3. 漏源饱和电流（IDSS）： 这是P-JFET在最大饱和状态下的漏源电流。它表示在栅源电压为0V时，当漏源电压达到最大值时的电流。

4. 增益： P-JFET的放大系数是漏极电流与栅源电流的比率，通常称为“gm”。它是一个电流放大的参数。

5. 漏极电流（ID)： 这是P-JFET从漏极到源极的电流，取决于栅源电压和源极-漏极电压。

6. 输入电阻（Rin)： 输入电阻是指当栅源电压发生变化时，导致的输入电流变化的比率。输入电阻越高，输入信号对P-JFET的影响越小。

7. 输出电阻（Rout)： 输出电阻是指当源极-漏极电压变化时，导致的输出电流变化的比率。输出电阻越高，输出信号对P-JFET的影响越小。

8. 温度系数： P-JFET的电流和电阻通常会随着温度的变化而变化。温度系数描述了这种变化。

9. 最大额定电压（VDS(max))： 这是P-JFET可以承受的最大漏源电压。超过这个电压可能导致器件损坏。

10. 功耗（Pd)： 这是P-JFET能够耗散的最大功率，通常通过导通状态下的漏源电流和源极-漏极电压来计算。

这些特性参数影响了P沟道结型场效应管在电路中的使用方式和性能。选择合适的P-JFET型号并根据应用的需求配置它的工作点，是确保电路正常运行的关键。