肖特基二极管（Schottky Diode）是一种具有特殊内部结构的二极管，其内部结构和伏安特性具有一些独特之处。让我为您详细解释一下：

**内部结构：** 肖特基二极管的内部结构由一个金属（通常是铝、铬等）与半导体（通常是硅）的接触组成。这种金属-半导体接触形成了一个肖特基势垒，这个势垒的特点是在低电压下能够迅速形成导电通道，因此肖特基二极管具有快速导通和低正向压降的特性。

**伏安特性：** 肖特基二极管的伏安特性曲线与普通PN结二极管有所不同。以下是肖特基二极管的主要特点：

1. **正向导通特性：** 肖特基二极管的正向导通特性具有低的正向压降，通常在0.2V至0.5V之间，远低于普通PN结二极管的正向压降（约0.6V至0.7V）。这使得肖特基二极管在开关应用中能够减小功耗和提高效率。

2. **反向截止特性：** 肖特基二极管的反向截止特性与普通PN结二极管相似，即在反向偏置时几乎没有电流通过。

3. **反向恢复时间：** 肖特基二极管的反向恢复时间比普通PN结二极管短，通常在纳秒级别。这使得它在高频开关应用中具有优势。

4. **导通特性：** 由于肖特基二极管具有金属-半导体接触，因此在导通时没有PN结内建电场，导致少量的载流子能够迅速移动，实现快速导通。

总的来说，肖特基二极管由于其特殊的金属-半导体接触结构，具有快速导通、低正向压降和短反向恢复时间等优点，使其在高频开关、低电压电路和高温环境等应用中非常有用。