场效应管（FET，Field-Effect Transistor）和肖特基二极管（Schottky Diode）是两种不同类型的电子器件，可以通过以下几个方面进行区分：

1. **器件结构：**

   - **场效应管：** FET是一种三端器件，包括栅极（Gate）、漏极（Drain）和源极（Source）。它的工作原理是通过栅极电场控制漏极到源极的电流流动。

   - **肖特基二极管：** 肖特基二极管是一种二端器件，包括一个金属与半导体的接触。它的特点是在金属-半导体接触处存在肖特基势垒，而不像普通二极管那样有PN结。

2. **工作原理：**

   - **场效应管：** FET的工作原理基于栅极电场调控漏极到源极的电流，可以分为MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）和JFET（结型场效应管）两种类型。

   - **肖特基二极管：** 肖特基二极管的工作原理是基于金属-半导体接触的势垒调制，可以实现快速开关和低正向压降。

3. **符号表示：**

   - **场效应管：** 在电路图中，FET的符号通常由栅极、漏极和源极组成的三角形表示。

   - **肖特基二极管：** 肖特基二极管的符号表示与普通二极管相似，但通常在晶体管符号上添加一个附加的弯曲线表示肖特基势垒。

4. **应用场景：**

   - **场效应管：** FET广泛用于放大、开关、放大器和模拟信号处理等应用领域。

   - **肖特基二极管：** 肖特基二极管主要用于高频开关、快速恢复整流和低压降应用，如开关电源、射频电路和混频器。

总之，通过上述特征，可以区分场效应管和肖特基二极管，分辨它们的器件结构、工作原理、符号表示和应用领域。