延迟击穿是半导体开关二极管的一个重要参数，通常指的是在施加电压后，二极管从关断状态到导通状态所需的时间延迟。这个参数在一些特定应用中，比如开关电源、逆变器和其他高频应用中非常关键。

确定延迟击穿的参数可能需要以下步骤：

1. **查阅数据手册：** 对于特定型号的开关二极管，您应该能够从制造商的数据手册中找到延迟击穿的信息。数据手册通常包含了关于该二极管的所有重要参数。

2. **查看延迟时间：** 数据手册中可能会提供延迟击穿时间的具体数值。延迟击穿时间可能在纳秒（ns）或微秒（μs）范围内，取决于设备的性质和应用领域。

3. **了解测试条件：** 请确保在查看延迟击穿时间时了解测试条件。不同的测试条件（比如施加的电压和电流）可能会影响延迟击穿时间。

4. **考虑应用需求：** 根据您的应用需求，确定延迟击穿时间是否满足要求。例如，在高频开关电源中，延迟击穿时间可能需要尽量短以确保高效率。

5. **与其他参数综合考虑：** 在选择开关二极管时，延迟击穿时间应与其他关键参数（如最大工作电压、最大工作电流、开关速度等）综合考虑，以确保二极管在您的应用中能够正常工作。

如果您在寻找关于特定型号的延迟击穿参数或其他技术信息方面遇到困难，最好联系相应的半导体制造商，他们通常会提供有关其产品的详细信息和支持。