数字场效应晶体管（Field Effect Transistor，FET）是一种常见于数字电路中的控制元件。它是一种三层结构的半导体器件，由源极、漏极和栅极组成。

数字FET的工作原理是基于场效应。当栅极施加电压时，栅极电场作用于通道区域的载流子（电子或空穴），控制通道区域的电导率，从而控制了漏极与源极之间的电流流动。

数字FET的重要特点之一是其高输入阻抗。由于栅极与通道区域之间的电容很小，所以可以实现高阻抗输入。这使得数字FET能够在数字电路中作为开关或放大器使用，因为它不会对信号源造成明显的负载。

与晶体管相比，数字FET的另一个优点是其较低的功耗。由于FET是一种主要由电场控制电流的器件，因此当栅极电压为0V时，几乎没有漏电流通过。这意味着在开关状态下，数字FET几乎没有功耗，从而降低了整个电路的功耗。

数字FET还具有较高的开关速度和反向容忍性。由于其结构和工作原理的特殊性，FET能够快速地从关闭状态切换到开启状态，并且反向电压容忍度较高。这使得数字FET在数字电路中能够承受较高的电压冲击和抗干扰能力。

在数字电路中，数字FET通常用于构建逻辑门、存储单元、模拟开关和放大器等模块。它们广泛应用于计算机、通信设备、嵌入式系统等领域。

然而，与其它器件相比，数字FET也存在一些局限性。例如，由于其结构和工艺的特殊性，数字FET在高温环境下可能会出现漏电流增加和开关速度变慢等问题。此外，数字FET需要严格控制栅极电压，以避免损坏设备或引起电路失效。

总的来说，数字FET是数字电路中一种重要的控制元件。它具有高输入阻抗、低功耗、高开关速度和良好的反向容忍性等优点，使其成为数字电路设计中不可或缺的组成部分。随着科技的进步和应用领域的不断拓展，数字FET的性能和特性也在不断提高和完善，为数字电路的发展带来了更多的可能性。