设计一个采用碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的3千瓦（kW）单相功率因数校正（PFC）交流输入电源需要考虑多个因素，包括功率因数改善、效率、EMI（电磁干扰）控制等。以下是一些设计的关键方面：

1. SiC MOSFET的选择： 选择适当的SiC MOSFET，考虑其导通损耗、开关损耗、反向恢复损耗等关键参数。SiC MOSFET相对于传统的硅（Si）MOSFET具有更好的高频特性和导通损耗。

2. PFC拓扑选择： 选择适当的功率因数校正拓扑，例如Boost拓扑。Active Power Factor Correction（APFC）电路通常用于提高功率因数。

3. 控制策略： 实现一个有效的控制策略以确保高效率和良好的输出波形。常见的控制策略包括电流模式控制和电压模式控制。

4. EMI滤波： 使用滤波器来减少电磁干扰，确保设计符合电磁兼容性（EMC）标准。

5. 保护机制： 添加过流、过压、过温等保护功能，以提高系统的可靠性。

6. 热管理： 由于功率较高，需要考虑散热设计，确保SiC MOSFET在正常工作温度范围内。

7. 反激拓扑： 在某些情况下，可以考虑使用反激拓扑，这有助于降低谐波，减小EMI。

8. 控制器选择： 选择适当的控制器芯片，以支持所选的控制策略和拓扑。

9. 功率级联： 如果需要更大的功率，可以考虑级联多个电源模块，实现功率的累积。

以上仅是设计过程的一些基本步骤，具体的设计方案需要根据应用的具体要求、成本预算和性能需求来进行调整。最好在设计过程中进行仿真和验证，确保设计的性能符合预期。在设计过程中，建议参考相关的电源因数校正（PFC）和SiC MOSFET应用手册，以获得更详细的信息。