MOSFET关键参数详解：Vds、Id、Rds(on)
更新时间：2026-01-17 09:44:51
晨欣小编
一、Vds —— 漏源极耐压（Drain-Source Voltage）
1. 定义
Vds 是 MOSFET 在关断状态下，漏极（D）与源极（S）之间能够承受的最大电压，通常标注为 Vds(max)。
超过 Vds(max)，器件会发生雪崩击穿，可能瞬间或累积损坏。
2. 工程意义
决定 MOSFET 能否用于某一电压等级
与系统输入电压、浪涌、电感反冲电压直接相关
3. 选型原则（非常重要）
Vds ≥ 1.2~1.5 × 系统最高电压
| 应用场景 | 建议 |
|---|---|
| DC 12V 系统 | 30V 或 40V MOSFET |
| DC 24V 工业 | 60V~80V |
| AC 整流后 310V | 600V |
| 48V 通信 | ≥100V |
⚠️ 注意：
电机、继电器、变压器等感性负载必须留更大余量
开关电源中还要考虑 尖峰 + ringing
二、Id —— 漏极连续电流（Drain Current）
1. 定义
Id 表示 MOSFET 在特定条件下允许通过的最大连续漏极电流。
但要注意：
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