SRAM（Static Random Access Memory）和DRAM（Dynamic Random Access Memory）是计算机内存中两种常见的存储器类型。它们在结构、工作原理、速度和用途上有着明显的区别。

首先，SRAM由多个触发器构成，每个触发器可以存储一个位数据，并且数据在电源断开时也可以保持不变，因此称为静态存储器。而DRAM则是由电容构成，每个电容可以存储一个位数据，但数据在电源断开时会丢失，因此称为动态存储器。

其次，SRAM的访问速度比DRAM快，因为它不需要刷新操作，数据可以直接从存储器中读取。而DRAM在读取数据时需要经过一系列复杂的刷新和重写操作，因此速度较慢。这也使得SRAM适用于对速度要求较高的应用，如高性能计算机和缓存存储器，而DRAM适用于一般性的计算机内存。

另外，由于SRAM的存储单元较大且不需要刷新操作，因此相比DRAM更昂贵，并且占用更多的空间。而DRAM虽然成本较低，但由于需要刷新操作，会消耗一定的能量和资源。

总的来说，SRAM和DRAM在计算机内存中各有优劣，用户需要根据具体的应用场景来选择合适的存储器类型。在性能要求较高、空间成本不是主要考量因素的情况下，SRAM是一个较好的选择；而在成本和空间有限的情况下，DRAM则更为适合。

电子元器件品牌推荐：

                     德仓电子                                                                风华高科                                                        国巨