金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，简称MOSFET）是现代集成电路中最常用的晶体管之一。MOSFET包括n型金属氧化物半导体场效应晶体管（NMOS）和p型金属氧化物半导体场效应晶体管（PMOS）两种类型。在这两种晶体管中，导通电流的流向是有所不同的。

首先来看NMOS。在NMOS晶体管中，源极是n型材料，漏极是p型材料，栅极位于源极和漏极之间。当在栅极上加正电压时，电子将被吸引到n型材料中，形成一个导通的通道，电流可以流经源极到漏极。这时候，NMOS处于导通状态，其导通电流是从源极注入到漏极的电子流。因此，在NMOS中，导通电流的流向是从源极到漏极。

接下来是PMOS。在PMOS晶体管中，源极是p型材料，漏极是n型材料，栅极同样位于源极和漏极之间。与NMOS相反，在PMOS中，当在栅极上加负电压时，电子将被吸引到n型材料中，形成一个导通的通道，电流可以流经漏极到源极。因此，在PMOS中，导通电流的流向是从漏极到源极。

总结来说，在NMOS晶体管中，导通电流的流向是从源极到漏极；而在PMOS晶体管中，导通电流的流向是从漏极到源极。这种导通电流的流向是由晶体管的结构和工作原理决定的，对于理解MOSFET的工作原理和应用具有重要意义。通过对NMOS和PMOS的导通电流流向进行详细了解，我们可以更好地设计和优化电路，提高电子器件的性能和效率。